1506第十五章场效应管6.pptVIP

答：增强型 MOS 管的导电沟道是在VGS 增大 到开启电压VT 才接通，即有一定的栅源电压之 后，才有漏极电流?d;耗尽型 MOS管的导电沟道 是在 VGS= 0时已经形成，栅源电压为零时就 有较大漏极电流?d,其VGS值可正可负。 增强型的场效应管不能用自给偏压的方法 获得静态工作点。 例: (北京航空航天大学1999年研究生入学 试题)如图中T 的 ?DSS = 2mA, VGS(off) = - 3V, 试求： (1)栅源电压VGS； (2)漏极电流?D； (3)漏源电压VDS； (4)低频跨导gm； 解：(1)由电路图可知： (2)场效应管为N沟道耗尽型，其转移特性曲 线可用近似公式表示为： R 1 300K R D 10K R 2 200K cc V DD V 5V 12V T 将已知条件代入，可得： (3) VDS可通过列出输出回路方程求得： （小信号等效电路） 小结： 本题的目的在于估算场效应管放大器的 静态工作点。与三极管放大器相似，求场效 应管放大器的工作点就是解它的直流通路。 运用估算法求Q点时，必须已知 ?DSS