精品量子阱与超晶格.doc

《量子阱与超晶格》- 概述 （一） 什么是量子阱量子阱）由2种不同的半导体材料相间排列形成的层结构具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。势阱宽度量子阱的最基本特征是，由于量子阱宽度(只有当阱宽尺度足够小时才能形成量子阱)的限制，导致载流子波函数在一维方向上的局域化。多量子阱）由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构……）， 如果势垒层足够厚，以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小，则多层结构将形成许多分离的量子阱，称为多量子阱。超晶格如果势垒层很薄，相邻阱之间的耦合很强， 原来在各量子阱中分立的能级将扩展成能带(微带)，能带的宽度和位置与势阱的深度、宽度及势垒的厚度有关，这样的多层结构称为超晶格。 具有超晶格特点的结构有时称为耦合的多量子阱。量子阱中的电子态、声子态和其他元激发过程以及它们之间的相互作用，与三维体状材料中的情况有很大差别。”或“能带剪裁工程” ? 图: 半导体超晶格层状结构示意图(白圈和灰圈代表两种材料的原子)。 为了超晶格中电子的量子约束效应和各种量子特性能够在实验上明显地反映出 来， 超晶格中两组分层的厚度应与电子的德布罗意波长相当（纳米量级）。为了 使两种材料能够紧密地交替生长在一起形成超晶格， 两种材料的晶格必须匹配。 理想的情况是两种材料的晶格常数相等， 但这种理想情况实际上不存在。 一般 认为， 晶格常数的失配度小于0.5%为晶格匹配， 失配