光电检测技术与应用-5半导体光电检测器件应用2.pptVIP

* 四、光电位置敏感器件（PSD） PSD应用于位移测量是根据光学三角测量原理，如图所示。 由半导体激光器发出的光束经照明透镜聚焦，光斑照射在被测物上，光斑的部分散射光通过设置在另一位置的接收透镜聚焦在PSD面上成像为一亮点，如果被测物从图中的基准位置移动到A处，则PSD上的像将移动到a点；反之，若反方向移动到B处，则PSD上的像将移动到b点。 将此种移动量用PSD变换成电流信号，经过后续处理电路处理后作为位移输出信号，这就是用PSD测量位移的工作原理。 PSD应用 * v CCD图像传感器： 用CCD的光电转换和电荷转移功能制成的。 CCD（charge-coupled devices)电荷耦合器件。 v CMOS图像传感器： CMOS图像传感器（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor ，CMOS）互补金属氧化物半导体器件。 固态图像传感器 CCD图像传感器 CMOS图像传感器 五、固态图像传感器 * 特点： v 高度集成，包括光电信号转换、信号存储和传输、处理。 v 以电荷转移为核心。 v 体积小、重量轻、功耗小、成本低。 v 广泛用于图像识别和传送。 五、固态图像传感器 * 将光信号变为电荷包，以电荷包的形式存贮和传递信息。 又称为“排列起来的MOS电容阵列” 。 1、电荷耦合器件（CCD） 五、固态图像传感器 CCD的突出特点：是以电荷作为信号，而不同于其它大多数器件是以电流或者电压为信号。 CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。 CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。 * 半导体与SiO2界面电荷分布图 工艺： 先在P-Si(多晶硅)片上氧化一层SiO2介质层，其上再沉积一层金属Al作为栅极，在P-Si半导体上制作下电极。 1、CCD的结构及原理 构成CCD的基本单元是MOS(金属—氧化物—半导体)结构 * 给栅极加VG正脉冲，金属电极充一些正电荷； 电场将P-Si的SiO2界面附近的空穴排斥走， SiO2附近出现耗尽层； 半导体表面处于非平衡状态，表面有贮存电荷的能力。 将表面的这种状态称为电子势阱或表面势阱。 势阱的形成 半导体与SiO2界面电荷分布图 1、CCD的结构及原理 * 电荷转移原理 若两个相邻MOS光敏元加的栅压分别为VG1、VG2，且VG1VG2。 因VG2高，表面形成的负离子多，则表面势φ2φ1, 则VG2吸引电子能力强，形成的势阱深，则1中电子有向2中下移的趋势。 电子转移示意图 若串联很多光敏元，且使VG1VG2……VGN,可形成一个输运电子路径,实现电子的转移。 1、CCD的结构及原理 * 电荷转移原理 1、CCD的结构及原理 * 电子的堆积和转移 光照MOS电容器时，在栅极附近的半导体体内产生电子—空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。 光强越大，势阱中收集的电子数就越多； MOS电容器实现了光信号向电荷信号的转变。 若给光敏元阵列同时加上VG，整个图像的光信号同时变为电荷包阵列，反映图像的明暗程度。 1、CCD的结构及原理 P-Si 输入 栅 光敏元件 输出二极管 输出 栅 SiO2 工作过程 一个完整的CCD器件由光敏元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。 CCD工作时，在设定的积分时间内，光敏元对光信号进行取样，将光的强弱转换为各光敏元的电荷量。取样结束后，各光敏元的电荷在转移栅信号驱动下，转移到CCD内部的移位寄存器相应单元中。移位寄存器在驱动时钟的作用下，将信号电荷顺次转移到输出端。输出信号可接到示波器、图象显示器或其他信号存储、处理设备中，可对信号再现或进行存储处理。 1、CCD的结构及原理 * 2、CCD图像传感器的特性参数 1、转移效率 当CCD中电荷包转移时，若Q1为转移一次后的电荷量，Q0为原始电荷，转移效率定义为： 2、 分辨率 指分辨图像细节的能力，光像的两个相邻光强度最大值之间的间隔，主要取决于感光单元的尺寸和间隔。 根据奈奎斯特采样定理，定义图像传感器的最高分辨率fm等于它的空间采样频率f0的一半，即： * 3、暗电流 起因于热激发产生的电子-空穴对。电荷的积累时间越长，影响越大。 暗电流产生不均匀总出现在固定图形、相同的单元上，利用信号处理，把出现暗电流尖峰的单元位置存贮在PROM（可编程只读存贮器）中，就能消除影响。 限制了器件的灵敏度和动态范围。 4、灵敏度 指单位发射照度H下，单位时间