a—Si(n)Ic—Si(P)异质结太阳电池薄膜硅背场的优化.pdfVIP

第57卷 第 5期 2008年 5月 物 理 学 报 Vo1．57，No．5，May，2008 1000—329012008157(05)／3212．07 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2008Chin．Phys．Soc． a—Si(n)Ic—Si(P)异质结太 阳电池薄膜硅背场的 模拟优化* 赵 雷 周春兰 李海玲 刁宏伟 王文静 (中国科学院电工研 究所太 阳电池技术研究室 ，北京 100080) (2007年9月 4日收到；2007年 lO月 31日收到修改稿) 采用 AFORS．HET数值模拟软件 ，对不 同带隙的薄膜硅材料在 a-Si(n)／c．Si(P)异质结太 阳电池上 的背场效果进 行了模拟 ，分析 了影响背场效果的原因，得到了薄膜硅背场在 a．Si(n)／c—Si(p)异质结太 阳电池上的适用条件为薄膜 硅材料是带隙 1．6eV，硼掺杂浓度在 10 cmI3以上 的微 晶硅材料 ，其最佳厚度在 5nm左右 ．这种背场从工艺上易于 实现 ，并且 ，与常用的Al扩散背场相 比，在相 同的掺杂浓度下 ，电池效率可以大大提高． 关键词：薄膜硅，背场 ，硅异质结太阳电池 PACC：7340L，8630J 所引起的能带弯曲起到背场效果 ．SANYO公司最初 1．引 言 在 HIT上采用的就是这种背场…．但这种结构对接 触金属的功函数有严格要求 ，并且金属半导体接触 1994年，日本 SANYO公司采用织构化的 n型 界面也不太好处理 ．金属接触背场在太 阳电池上并 CZ单晶硅衬底 (c．Si(n))作吸收材料 ，通过 PECVD 不适用 ．另外的方法是靠一层与 吸收区掺杂类 型相 在其上低温淀积 P型非晶硅 (a．Si(P))发射极 ，发明 同，但掺杂浓度更高的掺杂层来实现 ．在传统硅太 了效率 20％的硅异质结太 阳电池… ．由于这种电 阳电池 中，针对 P型硅衬底 ，常用的是 A1扩散背场 池在吸收区和发射极之间插入了一层很薄的本征非 或者 B扩散背场，即在硅衬底背面通过 A1扩散或者 晶硅 层 来 钝化 异 质 结 的界 面 ，因此 称 为 HIT B扩散 ，形成 P 掺杂层 ，其 中前者是更加产业化的 (heterojunctionwithintrinsicthin．1ayer)电池 ．与传统 技术 ．而 SANYO公司采用重掺 的n型非晶硅层 的通过扩散制备 pn结的晶硅太 阳电池相比，这种硅 作为 HIT电池的背场 ，从而保证 了背场结构 同样可 异质结太阳电池具有显著 的优点 ，这种电池可 采用低温工艺实现 ，使得单 晶硅片免于在高温下性 以同时实现pn结和优异的表面钝化 ，并且所有工艺 能退化 ．并且，由于非 晶硅类材料一般用 PECVD方 可在低温 (200~C)下完成 ，既减少 了能耗 ，又能避 法淀积制备 ，掺杂和淀积是同时进行的，容易实现层 免硅片在高温处理过程中可能产生 的性能退化 ．因 内的均匀掺杂 ，也有利于将背场控制在最小厚度，节 此 ，硅异质结太阳电池迅速成为了国际上的研究热 省材料…． 点 ． 尽管 SANYO发展 的HIT电池采用的是 n型衬 背场是用来提高太阳电池效率 的有效手段 ．所 底 ，但传统的硅太阳电池更多 的是以P型硅衬底作 谓背场指的是可对光生少子产生势垒效果 的区域 ， 为光吸收区，根据市场的需要 ，国际上更多的研究机 从而减少光生少子在背表面的复合 ．这个势垒不但 构将研究重点集 中在 了p型硅衬