第10章开关电源干扰及抑制.pptVIP

电子系统受到外部电磁干扰 三种耦合途径 传导耦合：通过导体（导线）将噪声耦合进电路中。 最典型的例子是噪声通过电源线传入电路。 公共阻抗耦合：来自不同电路的电流流经一个公共阻抗时，就会产生公共阻抗噪声耦合。 电磁场耦合：只要电荷发生移动，所有的电路元件、导线都会辐射电磁场，存在来自发射源的辐射。 近场时，分别考虑电场和磁场； 远场时，电磁联合辐射。 差摸干扰 共模干扰 电磁干扰噪声抑制 屏蔽 接地 平衡 滤波 隔离 阻抗大小控制 电缆设计 抵消技术 电磁兼容性（EMC）设计 标准的EMI滤波器通常由串联电抗器和并联电容器组成的低通滤波电路，其作用是允许设备正常工作时的频率信号进入设备，而对高频的干扰信号有较大的阻碍作用。 EMI滤波器的特点： EMI滤波器难以进行阻抗匹配 EMI滤波器出现饱和 无法用集中参数等效电路进行高频分析 要求能滤除共模干扰和差模干扰 EMI滤波器分类 反射式滤波器 阻挡EMI信号，通过有用信号 吸收式滤波器 吸收不需要的频率成分并将此成分的能量转换成热 能耗散出去 滤波连接器 在连接器上构成L型或者Ⅱ型滤波器 EMI 滤波器的电路结构 1) C型滤波器 C型滤波器由三端电容和穿心电容构成，适合于抑制高频。 C型滤波器两端均可视为低阻抗，接高阻抗源和负载。 EMI 滤波器的电路结构 2) L型滤波器 由一个电感器和一个电容器组成。这种滤波器可以提供高的输入阻抗，也可提供低的输入阻抗，取决于电路的安装方向。 LT 电路适用于高阻抗负载，低阻抗源的情况。 LB 电路适用于低阻抗负载，高阻抗源的情况。 EMI 滤波器的电路结构 3）π型滤波器 π型滤波器由一个电感器两个电容器构成。 它的输入端和输出端都呈低阻抗性，因为元件比L型或C 型多，故抑制性能要好的多。 在开关电路中有时会出现“振铃”现象。 EMI 滤波器的电路结构 4）带瞬变抑制器的π型滤波器 π型滤波器在其输入端增加了一个瞬变抑制器，具有较好的高频抑制性能，同时可以防止电压尖峰。 EMI 滤波器的电路结构 5）T型滤波器 这种滤波器包括两个电感器和一个电容器，它的两端都是高阻抗，其插入损耗性能和π型滤波器相似。 它不易出现“振铃”现象，可用在开关电路中。 EMI 滤波器的电路结构 6）双 T型滤波器（多级滤波器） 多级滤波器是为源和负载都为低阻抗的电路设计的高性能滤波器，它们也可用在要求高插入损耗的其他情况。 在滤波器的输入端用一个电感器，有利于与美军标 MIL-STD-461D（国军标 GJB-151A）的测试装置匹配。 设计EMI滤波器的注意点 频率特性 耐压性能 额定电流 阻抗特性 屏蔽 可靠性 技术指标 EMI滤波器最重要的技术指标是对干扰的抑制能力。 通常用插入损耗（Insertion Loss）来表示。 它的定义是：没有接入滤波器时从干扰源传输到负载的功率P1和接入滤波器后从干扰源传输到负载的功率P2之比，用分贝（dB）表示。 不同的滤波电路有着不同的滤波特性 各种滤波电路滤波特性图 各种滤波电路的衰减特性： C型电路的滤波衰减曲线较平坦，没有明显的拐点，适用于大多数电子设备； L型电路、Pi型电路和T型电路的滤波衰减曲线较C型电路拐点明显，适用于抑制的干扰信号与有用信号频率接近的的场合。 当工作频率为方波时，要注意这些电路的感性和容性器件的量值要选用恰当，避免一味追求滤波衰减性能，而把有用信号的波形部分衰减，导致设备工作反而不正常。 各 式 各 样 的 电 容 常见陶瓷电容的技术指标： 电容介质特性图： 滤波器容量常用精度级别 一、 EMI 感性和容性器件的选择： 滤波电容 EMI滤波器所用电容一般为穿芯式陶瓷电容。穿芯式的结构可有效防止高频信号在输入输出端之间直接耦合，且寄生电感小自谐振频率较高。这种同轴性的、低通高阻的设计组合，在1GHz的频率范围内，可以提供高效的EMI抑制。 这种电容的容值可以在几pF到几μF之间，工作电压高可达几千VDC。 穿芯式电容的介质是陶瓷介质，其容量会随着温度的变化而发生漂移，这种变化会影响容性器件的滤波截止频率。 设计选择时不但要考虑工作温度，而且要重视工作电压，以防陶瓷介质被击穿。 滤波电容的选择 与一般的滤波器不同，EMI滤波器典型结构中电容使用了两种下标。 接于相线和中线之间，称为差模电容。 接于相线或中线与地之间，称为共模电容， 下标X和Y不仅表明了它在滤波电路中的作用，还表明了它在滤波电路中的安全等级。 在设计或选用滤波器时都必须充分考虑这两类电容的安全性能，