第6章无机材料的电导1119.pptVIP

离子电导率 离子扩散机构 影响离子电导率的因素 呈指数关系，随温度 升高，电导率迅速增大。 低温下，杂质电导占主要地位(曲线1)； 高温下，固有电导起主要作用。 1、温度 杂质离子电导与温度的关系 影响离子电导率的因素 2、晶体结构 活化能大小取决于晶体间各粒子的结合力。而晶体结合力受如下因素影响： 离子半径：离子半径小，结合力大 离子电荷，电价高，结合力大 堆积程度，结合愈紧密，可供移动的离子数目就少，且移动也要困难些，可导致较低的电导率 影响离子电导率的因素 3、晶格缺陷 离子性晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键所在。而影响晶格缺陷生成和浓度的主要有如下因素： 热激励生成晶格缺陷(肖特基与弗仑克尔缺陷) 不等价固溶掺杂 离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离 电子电导 电子电导的载流子是：电子和空穴 电子电导主要发生在导体和半导体中 在电子电导材料中，电子与点阵的非弹性碰撞引起电子波的散射是电子运动受阻的原因之一。 电子迁移率 散射的两个原因 1、晶格散射 晶格振动引起的散射叫做晶格散射；温度越高，晶格振动越强对载流子的晶格散射也将增强，迁移率降低。 2、电离杂质散射 电离杂质散射的影响与掺杂浓度有关，掺杂越多，载流子和电离杂质相遇而被散射的机会也就越多。 能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。 一般规律： 1. 越是外层电子，能带越宽，?E越大。 2. 两个能带有可能重叠。 两个相邻能带之 间的能量区域称 为禁带。 晶体中电子的能量 只能取能带中的数 值，而不能取禁带 中的数值。 图中 为 “许可的能量”， 称为能带*。 E2 E3 E5 E4 E6 E7 E1 0 E E ~ k 曲线的表达图式 载流子浓度 根据能带理论，只有导带中的电子或价带之间的空穴才能参与导电。 金属、半导体和绝缘体的能带结构 载流子浓度 本征半导体中的载流子浓度 本征半导体的能带结构 载流子浓度 载流子只由半导体晶格本身提供，是由热激发产生的，其浓度与温度呈指数关系。 空带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在，载流子电子和空穴的浓度是相等的。 本征电导 本征半导体 本征半导体中的载流子浓度 本征半导体中，空穴与电子浓度相等 nh=ne 杂质对半导体的导电性能影响很大。 杂质半导体可分为n型(可提供电子)和p型(吸收电子，造成空穴)。 掺入施主杂质的半导体称为n半导体，掺入受主杂质的半导体称为p半导体。 杂质半导体分类 ①n型：在四价的Si或锗中，掺入五价元素，如：P、As、Sb等，形成的半导体。 ②p型：在四价的Si或锗中，掺入三价元素，如：B、Al、In等，形成的半导体。 杂质半导体中的载流子浓度 Ef Ec ED Ev + + Ef Ev Ec EA n型半导体 p型半导体 n型与p型半导体能带结构 杂质半导体特性 掺杂浓度与原子密度相比虽很微小，但是却能使载流子浓度极大地提高，因而导电能力也显著地增强。 掺杂只是使一种载流子的浓度增加，因此杂质半导体主要靠多子导电。 当掺入五价元素(施主杂质)时，主要靠自由电子导电；当掺入三价元素(受主杂质)时，主要靠空穴导电。 电子电导率 本征电导率： n型半导体电导率： 第一项与杂质无关，第二项与施主杂质浓度ND有关； 低温时，第二项起主要作用； 高温时，电导率增加属于本征电导性能。 电子电导率 本征半导体和高温时的杂质半导体的电导率与温度的关系为： 直线斜率可以求出半导体禁带宽度 电子电导率 电阻率与温度的关系： 电子电导率 电导率与温度关系如下： (a)中表示在该温度区间具有始终如一的电子跃迁机构； (b)中表示在低温区以杂质电导为主，高温区以本征电导为主； (c)中表示在同一晶体中同时存在两种杂质时的电导特性。 作业: 2. 实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据，经数学回归分析得出关系式为： （1）试求在测量温度范围内的电导活化能表达式。 （2）若给定T1=500K，σ1=10-9 S/cm; T2=1000K，σ2=10-6 S/cm，计算电导活化能的值。 3.本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为： 式中N为状态密度，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题： （1）设N=1023cm-3,k=8.6*10-5eV.K-1时, Si (Eg=1.1eV), TiO2 (Eg=3.0eV) 在室温（20℃）和500℃时所激发的电子数（cm-3）各是多少？ （2）半导体的电导率σ（S/cm）可表示为 式中n为载流子浓度（cm-3），e为载流子电荷（电荷1.6*10-19C）,μ为迁移率（cm2.V-1.s-1）当电子（e）和空穴