1.2 晶闸管(SCR).pptVIP

第一章 电力半导体器件 1.0 电力电子器件 概述 1.1 功率二极管 1.2 晶闸管 1.3可关断晶闸管(GTO)、电力晶闸管(GTR) 1.4 功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管 1.5 电力电子器件散热、串并联及缓冲保护 1.2 晶闸管 1.2 晶闸管—半控器件 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 1.2.2 晶闸管的基本特性 1.2.3 晶闸管的主要参数 1.2.4 晶闸管的型号 1.2.5 晶闸管的派生器件 1.2 晶闸管—半控器件 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合仍具有重要地位。 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个联接端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 常用晶闸管的结构 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理——晶闸管开关实验 实验现象如下： 1.仅UAK0时, 无论Ug何值（即UGK 值），VT关断，灯不亮。 2.当UAK0时, 但Ug＝0（即UGK 值），VT关断，灯不亮。 3.当UAK0, Ug0（即UGK 值）时，VT导通，灯亮。 注：晶闸管导通下，只要保持承受一定的正向阳极电压，则不论UGK电压如何，晶闸管均仍然导通，即晶闸管导通后，门极就失去对它的控制作用。 4.晶闸管在导通情况下，只有当其正向阳极电压减少到一定值或者阳极电压为负值，才能使阳极电流减小到一定数值（维持电流IH）以下，晶闸管才从导通状态恢复为阻断状态。 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理——晶闸管开关实验 实验结论： 1.晶闸管的导通条件： UAK0，Ug＝UGK 0，同时满足。 2.晶闸管的关断条件： UAK≤0，或，IAIH 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ： 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）。 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。 1.2.2 晶闸管的基本特性 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。 1.2.2 晶闸管的基本特性 （1）正向阳极伏安特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流ICO，为OA正向阻断（Forword Blocking）状态。 正向电压超过正向转折电压UBO，内部 J2 结被击穿、则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 1.2.2 晶闸管的基本特性 反向特性类似二极管的反向特性。(J1、 J2 、 J3) 反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。 当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。 (3) 门极伏安特性 晶闸管的门极与阴极间存在着一个PN结J3，门极伏安特性就是指这个PN结上正向门极电压Ug与门极电流Ig间的关系。 由于实际产品的门极伏安特性分散性很大，常以一条典型的极限高阻门极伏安特性和一条极限低阻门极伏安特性之间的区域来代表所有器件的伏安特性，由门极正向峰值电流IFGM﹑允许的瞬时最大功率PGM和正向峰值电压UFGM划定的区域称为门极伏安特性区域。PG为门极允许的最大平均功率。其中,0ABC0为不可靠触发区,ADEFGCBA为可靠触发区, 晶闸管的门极伏安特性 1.2.2 晶闸管的基本特性 1) 开通