对半导体工艺中光刻技术的探讨.doc

+ 毕业设计论文 对半导体工艺中光刻技术的探讨 系部 电子信息工程系 专业 微电子技术 姓名 班级 微电 学号 指导教师 职称 讲 师 指导老师 职称 助 教 设计时间 2010.2.21—2011.4.15 摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。 平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次的光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。光刻工艺是利用光刻胶的感光性和耐蚀性，在SO2或金属膜上复印并刻蚀出与掩模版完全对应的几何图形.由于光刻工艺是一种非常精细的表面加工技术,在平面器件和集成电路生产中得到广泛应用.如果把硅片的外延、氧化、扩散和淀积看成是器件结构的纵向控制的话,那么，器件的横向控制就几乎全部有光刻来实现因此,光刻的精度和质量将直接影响器件的性能指标,同时也是影响器件的成品率和可靠性的重要因素 关键词：光刻技术；光刻胶；光刻质量。 目录 1 引言 3 2 光刻的工艺要求 4 2.1 高分辨率 4 2.2 高灵敏度 4 2.3 精密的套刻对准 4 2.4 大尺寸硅片的加工 5 2.5 低缺陷 5 3 光刻胶的特性和配制 6 3.1 光刻胶的性质 6 3.2 光致抗蚀剂的种类 6 3.3 光刻胶的配制 7 4 光刻工艺流程 9 4.1 涂胶 9 4.2 前烘 9 4.3 曝光 10 4.4 显影 11 4.5 坚膜 11 4.6 刻蚀 12 4.7 去胶 15 5 光刻质量分析 16 5.1 溶胶 16 5.2 小岛 17 5.3 针孔 17 6 结语 19 7 致谢 20 8 参考文献 21 引言 光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜内的孔或是残留的岛状部分。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件（parts）的关联正确。 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。光刻是所有四个基本工艺中最关键的。光刻确定了器件的关键尺寸。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。图形的错位也会导致类似的不良结果。光刻工艺中的另一个问题是缺陷。光刻是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成。在制程中的污染物会造成缺陷。事实上由于光刻在晶圆生产过程中要完成5层至20层或更多，所以污染问题将会放大 光刻的工艺要求 2.1 高分辨率 分辨率是光刻精度和清晰度的标志之一。随着集成电路的集成度提高，加工的线条越来越小，对分辨率的要求也就越来越高。分辨率的高低不仅与光刻胶有关，还与光刻的工艺条件和操作技术等因素有关。 分辨率的表示方法有以上两种。 第一种是以每毫米最多能容纳的线条来表示。如果可以分清的线条宽为W/2而线与线间空白的宽度也为W/2，这时，每毫米内最多可容纳的线条数即为分辨率，则分辨率等于1/W，单位为条线/mm。如果线条宽W/2=0.25um，则分辨率为2000线条/mm。 第二种是以剥蚀以后的二氧化硅尺寸减去光刻掩膜版的图形尺寸除以2表示。生产中常用第一种方法。 2.2 高灵敏度 灵敏度是指光刻胶感光的速度。为了提高产量要求曝光所需要的时间越短越好，也就是要求灵敏度高。 光刻胶的灵敏度与胶的组成材料及工艺条件密切相关。往往灵敏度的提高会使光刻胶的其他性能变差。因此，要求在保证光刻胶各项性能指标的前提下，尽量提高光刻胶的灵敏度。 有人把光刻胶的灵敏度称为感光度。通常光刻胶的感光度是以光刻胶发生化学反应所需要的最小曝光量得倒数来表示，即S=K/E。 式中，K为比例常数；E为曝光量，是指光的强度（照度）和曝光之间的乘积，即E=I*t（I的单位为烛，t的单位是秒）；S为感光度，单位为（米烛秒）-1。从此式中可以发现，要使光刻胶变成不溶性物质所需要的曝光时间和光强度是变量，因此，要求精确求出感光度是比较复杂的，生产中可采用滤光器进行测量。 由于感光度与曝光量成反比关系，所以要使光刻胶发生硬化