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1.2二极管及整流电路
1.2 半导体二极管及整流、滤波电路 半导体基础知识 半导体二极管 整流电路 滤波电路 一. 半导体基础知识 半导体 本征半导体 杂质半导体 PN结及其单向导电性 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge),它们的共同特征是四价元素,每个原子最外层电子数为 4。 半导体材料的特性 纯净半导体的导电能力很差; 温度升高——导电能力增强; 光照增强——导电能力增强; 掺入少量杂质——导电能力增强。 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体,其原子最外层价电子排列整齐而有规律。 价电子与共价键 在本征半导体的晶体结构中,每个原子最外层的四个价电子与相邻原子最外层的价电子相互结合,构成所谓共价键结构。 杂质半导体 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子,但由于数量极少导电能力仍然很低。如果在其中掺入微量的杂质(某种元素),这将使掺杂后的半导体(杂质半导体)的导电性能大大增强 N型半导体 P型半导体 N型半导体 在硅或锗晶体中掺入 磷(或其它五价元素)。每个磷原子有5个价电子,故在构成共价键结构时,将因增加一个电子而形成一个自由电子,这样,在半导体中就形成了大量自由电子。这种以自由电子导电作为主要导电方式的半导体称为电子型半导体或N型半导体。 P型半导体 在硅或锗晶体中渗入硼(或其它三价元素)。每个硼原子只有三个价电子故在构成共价键结构时将因缺少一个电子而形成一个空穴,这样,在半导体中就形成了大量空穴。这种以空穴导电作为主要导电方式的半导体称为空穴半导体或P型半导体。 不论是N型半导体还是P型半导体,都有一种载流子占多数。然而整个半导体晶体仍是显电中性的。 PN结及其单向导电性 PN结的形成 PN结的单向导电性 PN结的形成 在一块晶片两边分别形成P型和N型半导 体。由于P区有大量空穴(浓度大),而N区的空穴浓度小,因此空穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散,同时N区的电子要向P区扩散。 PN结的单向导电性(加正向电压) 如果在PN结上加正向电压,即外电源的正极接P区,负极接N区。 若给PN结加反向电压,即外电源的正极接N区,负极接P区,则外电场与内电场方向一致,增强内电场, 空间电荷区变宽,使得多数载流子的扩散运动难以进行,而少数载流子的漂移运动则得以加强,在电路中形成了反向漂移电流。 二. 半导体二极管 二极管的基本结构和类型 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 二极管的应用 特殊二极管 二极管的基本结构和类型 将PN结加上相应的电极引线和管壳,就成为半导体二极管。 从P区引出的电极称为阳极(正极),从N区引出的电极称为阴极(负极)。 按结构分二极管有点接触型和面接触型两类。 二极管的电流方程及伏安特性 所谓二极管的伏安特性是指流过二极管的电流与两端所加电压的函数关系。其电流方程为: 死区 正向导通区 反向截止区 反向击穿区 二极管的主要参数 二极管的特性除用伏安特性曲线表示外,还可用一些数据来说明,这些数据就是二极管的参数。其主要参数如下: 除此之外,二极管的参数还有最高工作频率,结电容值、工作温度和微变电阻等。 二极管的应用 二极管的应用范围很广,主要都是利用它的单向导电性来进行整流、检波、元件保护以及在脉冲与数字电路中作为开关元件。 下面举例说明 例题分析 例题分析 单相半波整流电路只利用了电源的半个周期,且整流电压的脉动较大,为此常采用桥式整流电路,下图给出了桥式整流电路的四种画法: 2.单相桥式整流电路工作原理 (1)输出电压平均值Uo (3)、每个整流管的电流平均值ID 常见的几种整流电路 滤波器电路 1.电容滤波电路 电容滤波器输出电压的脉动程度有所改善,但带负载能力较差。 2. 电感滤波电路 3. 其他滤波电路 2). ?形滤波电路 当外加反向电压过高时,反向电流将突然增加,二极管失去单向导电性,这种现象称为击穿。二极管被击穿后,一般不能恢复原来的性能,便失效了。产生击穿时加在二极管上的反向电压称为反向击穿电压(UBR)。 反向 击穿区 UBR U(V) 0.4 0 0.8 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 1. 最大整流电流IF 最大整流电流是指二极管长时间使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。当电流超过允许值时,将由于PN结过热而使管子损坏。 2.最高反向电压URM 它是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。一般是反向击穿电压的一半或三分之二。 3.最大反向电流IRM 它是指在二极管上加最高反向工作电压时的反向电流值。反向电流越小,说明二极
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