[工学]1 晶闸管和单相整流.ppt

功率二极管、晶闸管和单相相控整流电路 1.1 不控型器件——功率二极管 1.2 半控型器件——晶闸管 1.3 单相相控整流电路 本章小结 不控型器件—功率二极管 1.2.1 功率二极管的结构与工作原理 1.2.2 功率二极管的基本特性 1.2.3 功率二极管的主要类型 功率二极管的结构与工作原理 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样 ——以半导体PN结为基础 ——由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成 从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装 功率二极管的结构与工作原理 功率二极管的基本特性 1. 静态特性 主要指其伏安特性 功率二极管的基本特性 2. 动态特性 功率二极管的基本特性 开通过程： 功率二极管的主要类型 普通功率二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。 功率二极管的主要类型 2. 快速恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD） 功率二极管的主要类型 3. 肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode——SBD） 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管 半控型器件—晶闸管 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 1.2.2 晶闸管的基本特性 1.2.3 晶闸管的主要参数 1.2.4 晶闸管的型号 1.2.5 晶闸管的派生器件 半控型器件—晶闸管 晶闸管（Thyristor）：硅晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管 1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品 1958年商业化 20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位 广义上讲，晶闸管包括普通晶闸管及其派生器件，但晶闸管一词往往专指普通晶闸管 晶闸管的结构与工作原理 外部结构： 外形主要有螺栓式和平板式 引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管的结构与工作原理 晶闸管正常工作时的特性： 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流，且晶闸管电流高于某一数值时，管子才真正导通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 晶闸管的电流降到某一数值以下才能关断。 晶闸管的基本特性 1) 正向特性——I象限 IG=0，正向阻断状态，正向电压超过正向转折电压Ubo，器件开通 随着门极电流的增大，正向转折电压降低 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。 晶闸管的基本特性 晶闸管的主要参数 1. 电压定额 晶闸管的主要参数 2. 电流定额 晶闸管的主要参数 晶闸管的主要参数 2. 电流定额 晶闸管的主要参数 4. 动态参数 晶 闸 管 的 型 号 晶闸管的派生器件 1. 快速晶闸管（Fast Switching Thyristor——FST) 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 由于工作频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。 晶闸管的派生器件 2.双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC或Bidirectional triode thyristor） 晶闸管的派生器件 3. 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 晶闸管的派生器件 4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 整流电路 单相相控整流电路 交流侧接单相电源 几种典型的单相可控整流电路 单相半波整流电路 带电阻负载的工作情况 带阻感负载的工作情况 单相全波整流电路 单相桥式全控整流电路 带电阻负载的工作情况 带阻感负载的工作情况 带反电动势负载时的工作情况 单相桥式半控整流电路 单相半波可控整流电路 电阻负载 特点：电压与电流成正比，两者波形相同。 单相半波可控整流电路 控制角：a 导通角：θ 这种通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式，简称相控。 ??VT的a 移相范围为18