[工学]微机原理 第4章+存储器系统.ppt

本章重点 半导体存储器分类 半导体存储器芯片的性能指标 常用存储芯片使用 存储器系统的设计 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N。 例如：SRAM 6264容量为：8K×8 bit DRAM Intel 2164A容量为：64K×1 bit 一、典型SRAM芯片 CMOS RAM芯片6264(8KB) ?主要引脚功能 ?与系统的连接使用 6264芯片的主要引线： 6264芯片与系统的连接 全地址译码例子： （2）部分地址译码 两组地址： A18=1： F0000H~F1FFFH A18=0： B0000H~B1FFFH 4.2??随机读写存储器RAM 地址？ 应用举例 例：将SRAM 6264芯片与系统连接，使其地址范围为：38000H~39FFFH，使用74LS138译码器构成译码电路。 74LS138真值表：（注意：输出低电平有效） 可以看出，当译码允许信号有效时，Yi是输入A、B、C的函数，即 Y=f(A,B,C) 与系统连接示意图(全地址译码) 与系统连接示意图(线选地址译码) 与系统连接示意图(线选地址译码) 特点： 存储元主要由电容构成，由于电容存在漏电现象而使其存储的信息不稳定，故DRAM芯片需要定时刷新，相应的外围电路较复杂； 典型DRAM芯片Intel 2164A 主要引线 ?A0~A7：地址输入线。分时复用。每次8位地址信号送到芯片上，分别为行地址和列地址，构成16位地址通过行列译码选中要寻址的单元。 DRAM的工作过程 ?数据读出： （1）行地址A0~A7，RAS有效，下降沿锁存行地址； （2）列地址A0~A7，CAS有效，下降沿锁存列地址； （3）保持WE=1，在CAS=0期间，DOUT端输出并保持。 ?数据写入：与数据读出过程基本类似，区别是送完列地址后，要将WE端置为低电平，然后把要写入的数据从DIN端输入。 ?刷新：将存放的每位信息读出并重新写入过程。 （1）CAS=1，无效； （2）送行地址，RAS=0，有效； （3）芯片内刷新电路将所选行单元的信息刷新； （4）将行地址循环一遍，刷新整个芯片所有单元。 2164A在系统中的连接 EPROM 2764 特点： ?可多次编程写入 ?掉电后内容不丢失 ?需用紫外线擦除内容 EPROM 2764 1、8K×8bit芯片，其引脚与SRAM 6264完全兼容： 2、地址信号：A0 ~ A12 3、数据信号：D0 ~ D7 4、输出允许信号：OE 5、片选信号：CE 6、编程脉冲输入：PGM=0，编程输入。读操作时PGM=1 7、 VCC=+5V，VPP=+21V（+12.5V，+15V，+25V）。 2764的工作方式 特点： ?可在线编程写入 ?掉电后内容不丢失 ?电可擦除 2817A工作方式 ?数据读出 ?编程写入： ?擦除： 三、闪存(flash memory)E2PROM 用8片2164A芯片构成64KB存储器 存储器芯片选择 ?存储器类型 ?容量 (1)字结构：一片一组； (2)位结构：n片一组； ?速度 ?负载 ?性能/价格比 解：所需芯片数： EPROM 2764：16KB/8KB=2 片 RAM 6264：32KB/8KB=4 片 分别以8088 CPU和8086 CPU来讲，因为8086 CPU要考虑奇偶分体。 （1）8088 CPU地址分配表： A17 ，A18或操作后接G2A 。 6264芯片的CS1如上述地址分配表所示连接； CS2接入+5V电源； OE与CPU的RD相连； WE与CPU的WR相连。 M/IO A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A1 A0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0