实验一 直流电路元器件伏安特性的测绘.docVIP

实验一 电路元件伏安特性的测绘 一、实验目的 1、认识常用电路元件。 2、掌握、的使用方法。 3、掌握线性电阻、非线性电阻元件伏安特性的。二、原理说明 任何一个二端元件的特性可用该元件上的端电压U与通过该元件的电流I之间的函数关系I=f（U）来表示，即用I-U平面上的一条曲线来表示，这条曲线称为该元件的伏安特性曲线。 图1、线性电阻器的伏安特性曲线是一条通过坐标原点的直线，图中a曲线所示，该直线的斜率等于该电阻器的电阻值。果。当然，若RIR，或RVR，则图A和图B有U/I≈R 。 （图A） （图B） 2、一般的半导体二极管是一个非线性电阻元件 ，其特性如 图中b。正向压降很小（一般的锗管约为0.2～0.3V，硅管约为0.5～0.7V），正向电流随正向压降的升高而急骤上升，而反向电压从零一直增加到十几伏至几十伏时，其反向电流增加很小，粗略地可视为零。可见，二极管具有单向导电性，如果反向电压加得过高，超过管子的极限值，则会导致管子击穿损坏。3、稳压二极管是一种特殊的半导体二极管，其正向特性与普通二极管类似，但其反向特性特别，如 图中c。在反向电压开始增加时，其反向电流几乎为零，但当反向电压增加到某一数值时（称为管子的稳压值，有各种不同稳压值的稳压管）电流将突然增加，以后它的端电压将维持恒定，不再随外加的反向电压升高而增大。管子的稳压值 三、实验设备 万用表 1、测定线性电阻器的伏安特性 按图接线，调节直流稳压电源的输出电压U，从0V开始缓慢地增加到10V，记下相应的电压表和电流表的读数。 图U(V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 UR(V) I(mA) 内容2、测定半导体二极管的伏安特性 按图接线，R为限流电阻，测二极管的正向特性时，正向压U可在0～0.75V之间取值当正向压达到“门槛电压”锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能正导通“门槛电压”多取几个测量点。反向特性时，只需将图中的二极管D反接，且其反向压U可开始缓慢地增加到24V。 图正向特性实验数据UD+(V) I(mA) UD-(V) I(mA) 反向特性实验数据3、测定稳压二极管的伏安特性图中的二极管换成稳压管2CW55，重复实验内容的测量。稳压正向特性实验数据 U(V) I(mA) 反向特性实验数据UZ-(V) I(mA) 思考：用伏安法测电阻的两种接线方法中，电压表、电流表内阻对测量值有何影响？ 五、注意事项六、实验报告 1