薄膜材料与薄膜技术第二章薄膜的化学制备方法1.ppt

几种开口系统示意 立式 旋转立式 对系统尚有冷壁和热壁的区别 冷壁CVD：器壁和原料区都不加热，仅基片被加热，沉积区一般采用感应加热或光辐射加热。缺点是有较大温差，温度均匀性问题需特别设计来克服。 适合反应物在室温下是气体或具有较高蒸气压的液体。 热壁CVD：器壁和原料区都是加热的，反应器壁加热是为了防止反应物冷凝。管壁有反应物沉积，易剥落造成污染。 热壁CVD优点： 1. 操作简单； 2. 可容纳几个基体； 3. 可在一定的压力和温度范围内操作； 4. 基体相对于气流的方向可以不同； 主要缺点： 1. 沉积不仅发生在基体上也发生在反应器壁上； 2. 膜层会从器壁上脱落并污染基体； 3. 被膜层覆盖的器壁表面积分数在实验期间以及从一个 实验到另一个实验会发生变化，导致沉积条件的重复 性问题； 热壁CVD的应用： 1. 由于上述原因，热壁反应器主要被用于实验室研究给定前驱体做CVD的可行性。 2. 因为巨大的受热表面积能完全消耗前驱体并提供高的反应产物产率，因此，热壁CVD也常常用于确定反应产物的分布。 3. 热壁反应器通常不在工业上使用或者用于反应动力学的定量测量；然而，却广泛用于具有高蒸气压前驱体的半导体和氧化物的CVD。 冷壁反应器的特点及应用： 1. 冷壁反应器CVD被广泛用于实验室和工业生产； 2. 尽管冷壁反应器相对于气流不同的方向通常仅容纳一片半导体晶片，但是可以控制压力和温度，可以使用等离子体，反应器壁上不会发生沉积，不易发生同质反应(homogeneous reactions)，能获得比热壁反应器高的沉积速率； 3. 由于易于实现表面反应控制的动力学(surface-reaction-limited kinetics)，冷壁反应器也被用于测量动力学参数； 4. 对于生产应用通常选择单一晶片冷壁反应器，因为这样 能更好地控制涂层性能。 2. 封闭式（闭管沉积系统）CVD 闭管法的优点：污染的机会少，不必连续抽气保持反应器内的真空，可以沉积蒸气压高的物质。 闭管法的缺点：材料生长速率慢，不适合大批量生长，一次性反应器，生长成本高；管内压力检测困难等。 闭管法的关键环节：反应器材料选择、装料压力计算、温度选择和控制等。 （六）常压CVD（APCVD） SiO2的沉积（低温CVD） 特点：低温、常压、生长速率大、沉积膜疏松 外延Si沉积设备 TiC，TiN，Al2O3等APCVD沉积 （七）低压化学气相沉积（LPCVD） 原理 早期CVD技术以开管系统为主，即Atmosphere Pressure CVD (APCVD)。 近年来，CVD技术令人注目的新发展是低压CVD技术，即Low Pressure CVD（LPCVD）。 LPCVD原理与APCVD基本相同，主要差别是： 低压下气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。 LPCVD在微电子技术中应用广泛，用于沉积掺杂或不掺杂的氧化硅、氮化硅、多晶硅、硅化物等薄膜，以及钨、钼、钽、钛等难熔金属薄膜。 由于薄膜的沉积速率与反应温度和反应气体浓度密切相关 用温度梯度补偿浓度梯度 即炉管分段加热，沿气流方向温度逐渐升高。 2.改进反应气体的进入位置和方式 即用计算机模拟气流的流动方式，在炉管的 不同位置流进合适的流量。 分段加热 进气调节 如何提高LPCVD沉积薄膜的均匀性？ T1 < T2 < T3 LPCVD LPCVD 优点： （1）低气压下气体分子的平均自由程大，反应装置内可以快速达到浓度均一，消除了因气相浓度梯度带来的薄膜不均匀性。 （2）薄膜质量高：薄膜台阶覆盖良好；结构完整性好；针孔较少。 （3）沉积过程主要由表面反应速率控制，对温度变化极为敏感，所以，LPCVD技术主要控制温度变量。LPCVD工艺重复性优于APCVD。 （4）卧式LPCVD装片密度高，生产成本低。 * * 薄膜材料与薄膜技术 第二章 薄膜的化学制备方法（1） 薄膜制备技术 直流溅射 射频溅射 磁控溅射 离子束溅射 真空 蒸发 溅射 沉积 离子镀 物理气相沉积 （PVD） 化学气相沉积 （CVD） 分子束外延 （MBE） 气相沉积 电 镀 法 溶胶-凝胶法 电阻加热 感应加热 电子束加热 激光加热 直流二极型离子镀 射频放电离子镀 等离子体离子镀 HFCVD PECVD LECVD DC RF MW ECR 热壁 冷壁 化学气相沉积(CVD) 1. 化学气相沉积: 沉积过程