2016冬学期戴老师课件.PDF

集成光电子器件及设计 第六章集成光学器件制作工 艺与光波导参量的测试 主讲教师：戴道锌教授 Email:            dxdai@zju.edu.cn Tel:                浙江大学光电系 1 Outline 8.1. 薄膜形成：淀积技术、外延生长技术 8.2.精细图形加工技术 8.3. 条形波导及典型器件的制作 8.4. 光波导主要参量的测量 2 8.1. 薄膜的形成方法  A. 淀积：  真空蒸发淀积、  溅射淀积、  离子镀、  化学气相淀积（CVD ）、  等离子体增强化学气相淀积（PECVD）  B. 外延生长：  液相外延生长、  分子束外延、  金属有机化合物气相外延 3 A1. 真空蒸发淀积  在真空条件下将薄膜材料加热到熔融状态汽化或升华蒸发，使得 大量原子或分子离开材料表面并淀积在基片上。 ①真空钟罩，为蒸发过程提供必需的工 作室； ②蒸发源，制备薄膜的材料放于此，并 被加热蒸发：电阻加热、高频感应加热、 电子束和激光束加热； ③基片夹持器和加热器； ④真空系统，为蒸发过程创造合适的真 空条件，通常由扩散泵或涡轮分子泵抽 真空。 4 真空蒸发淀积的几种加热方式之比较 • 电阻加热: 中等加热温度 • 高频感应加热，用于难熔金属蒸发  高频电流线圈可以水冷，本身处于低温不蒸发；  坩埚通常使用难熔的氮化硼（BN）等材料）； • 电子束加热: 聚焦、扫描  电子枪产生一定电流的高能电子束流，在与电子运动垂直的方向上 加一磁场，使束流发生弯曲而沿一弧线射到材料表面。  电子束还可聚焦后在材料上扫描，以熔化需要部分的材料表面。  电子束蒸发器淀积的材料范围很广，而且特别适用于多金属淀积。 6 2  • 激光束加热: 能量密度10 W/cm  产生局部高温 （其下面的衬底基本上不加热）。  激光束蒸发可用于任何高熔点的材料，尤其在淀积介质膜、半导体 材料膜和化合物膜方面是优良的手段。 5 真空蒸发淀积  蒸发和淀积：同时存在的可逆过程。  源材料的蒸发是在高真空进行的，自然蒸发过程远远胜过凝结，而且温度越 高，蒸汽压越高，蒸发速度越快。  蒸发源的淀积速率主要取决于真空室内工件处淀积物质的蒸汽压及工件放置的 位置与方向。  要达到足够高的淀积速率，则要考虑工件点的温度和压强、以及蒸发物质到达 工件点的比例。  蒸发温度越高，蒸汽压越高，蒸发速度越快。但若蒸发温度和相应的饱和气压 过高，则蒸发表面上方可能压强很高，分子运动形成黏滞流，且可能形成液 滴，造成淀积层的不均匀。  为了形成高质量均匀薄膜，应当在较低蒸发温度和淀积速率下进行蒸发淀积。  为了避免膜厚不均匀，可对工件进行加热：利用刚刚淀积上的分子/原子在形成 薄膜之前的横向扩散运动，以降低薄膜的横向厚度梯度。