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21cgq12_1 * * 第十三章 几种新型传感器简介 §13-1 非晶态合金传感器 一.非晶态合金的两种主要效应 微型、复合型、数字化、智能化、网络化 ▲磁致伸缩：超声发生器 ▲逆磁致伸缩：通过磁场变化检测机械量 1.磁－机转换 ：磁弹效应 ▲磁阻效应：制造磁泡存储器中的磁场传感器 2.磁－电变换：电磁感应与磁阻效应 ▲电磁感应：微电流无源传感器。漏电保护器中的电流互感器 二.应用实例 1.脉冲感应磁场 传感器 窄脉冲前沿周期性磁化非晶态合金A, 其磁化状态 受被检测磁场H调制，在脉冲后沿（激励电流为 流）被测磁场在线圈中产生感应电压。 2.膜片式压力传感器 ▲正反磁致伸缩效应 驱动磁头D1: 500kHz交变磁场， 使非晶态合金膜片形变；由于逆磁致伸缩 在D2端转换为交变磁化状态。 检测磁头D2: 将交变磁化状态转成交变电压输出。 测量: 当膜片受到垂直静压力弯曲时，膜片磁化状态 变化，D2端检测的电压幅值与静压力成正比 §13-2 超导体传感器 一.超导红外传感器 可见光照射→ 约塞夫逊结电流变化 二.超导可见光传感器 被测量→超导体电特性变化 受红外辐射的超导体电导率 发生变化 可在烟雾、粉尘环境中工作 约塞夫逊效应（不加电压） 三.超导微波传感器 隧道效应（加电压） 微波照射隧道结→ 电流变化 b: H2浓度高 ＋ － ▲检测极微弱的微波信号 10THz(1013Hz) 通过检测微波信号，可以进一步测量引起微波信号变化的“源”。 超导环内磁场为零， 环内电流与外磁场（通）成正比 四.超导磁场传感器 超导量子干涉器件(SQUlD)):超导环内有隧道结 单隧道结：交流SQUID 双隧道结：直流SQUID §13-3 液晶传感器 一.液晶的光学特性 二.液晶电磁场传感器 液晶受电、磁、热、声作用→ 液晶光学特性变化 ▲双折射：两折射光偏振方向正交 ▲二色性：白光经液晶反射和透射成不同颜色 ▲旋光性：具有改变偏振光振动方向的性能 ▲集成电路印刷板图形检测 原理：液晶分子成水平或垂直排列时． 其介电常数和磁导率呈各向异性． 亮处：集成电路通有电流的线条部分； 暗处：集成电路不可能通电的绝缘部分。 二.液晶电压传感器 二.液晶超声波传感器 原理： 经过垂直排列处理的液晶分子，在外加电压作用下，其分子排列向水平方向转换，而且转换分子数量随外加电压的大小而变比，光线仅能通过液晶分子水平排列那部分。 检测：通过测量光透过液晶容器的 长度来确定外加电压大小。 ▲将超声波图象转换成液晶的可见光图象 原理：当超声波射在液晶容器上时．液晶的光学性能发生变化。 方法：在超声源和液晶器件之间放置要成像的物体。在液晶器上，受到超声辐射扣未受辐射的部分分子排列不同，透光性不同。在液晶器件上显示出被成像物体的可见光图像。 原理：向列型和胆甾型混合材料的液晶分子的螺距随温度变化 四.液晶温度传感器 实现：经由液晶探头反射的光强是温度的函数。光强由光电管转换成电压 §13-4薄膜传感器 ▲薄膜：在一定基底（衬底）上用物理、化学方法制成的导电或介质材料的膜。10－10m ▲厚膜：采用喷涂或粘贴方法将材料附着在基片上 一.薄膜应变电阻传感器 1.构成 在需测应力的材料表面直接溅射成金属应变薄膜。 2.优势 生产工艺相对简单；稳定性高，一致性好； 电阻温度系数小：约10－6/oC; 阻值高，攻耗低，量程大； 耐疲劳性能好； 二.薄膜热敏传感器 1.原理： 薄膜的电阻随温度变化 2.种类： ▲薄膜热电偶：动态特性好，时间常数微秒量级 ▲薄膜热电阻：稳态精度高。 3.应用： 智能轴承温度监测 三.薄膜气敏传感器 1.原理： 薄膜吸附被测气体分子，改变导电性能： ▲吸附 O2, NO2:电阻变大 ▲吸附 H2, CO: 电阻变小 2.构成与应用 溅射SnO2和化学气相沉积SnO2; 掺杂型； 掺杂薄膜型气敏传感器 ； 构成催化剂表面气体的化学吸附，提高反应速度，控制反应方向 四.薄膜磁敏传感器 1.原理： 由 NiFe或 NiCo薄膜制成的磁阻元件,由于磁阻效应，其电阻随外磁场而变化。 2.结构： 将NiFe或 NiCo 合金蒸发或溅射到石英基片上，再制成2端、3端、4端或桥式结构。 3.应用和优势 ▲磁阻磁头：读取高密度磁记录信号，比常规电