[教育]第3讲 场效应管.pptVIP

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  • 2018-03-03 发布于浙江
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[教育]第3讲 场效应管

*5、 N沟道增强型绝缘栅场效应管 (1)结构:与耗尽型相比, 绝缘层中没有掺正离子的, 就是增强型 (2)符号: 虚线代表,一开始没有沟道 说明是增强型 (3)工作原理 因为绝缘层中没有掺入正离子,所以不加压时,没有沟道 当UGS=0时,总有一个PN结反偏,没沟道,ID=0 开启电压 : 在 UDS作用下,使ID大于零所需要的最小|UGS|值。 当UGS0时,栅极到衬底之间建立电场吸引电子,达到UGS(off), 靠近栅极表面形成自由电子薄层→反型层→导电沟道→ ID 当UGS UGS(off)后, UGS ↑→反型层愈厚→沟道电阻 ↓→ ID ↑ →实现电压控制电流 导电沟道形成后,UDS变化对沟道的影响和结型场效应相似。由于UDS的存在,使沟道上各点与栅极间的电压不再相等。栅、漏极之间的电压UGD = UGS – UDS将小于栅源电压UGS,漏极附近的电场减弱,反型层变薄,使沟道变成楔形。 (a)UDS<UGS – UGS(th) (b) UDS = UGS – UGS(th) (c) UDS>UGS – UGS(th) (4)增强型NMOS管的特性曲线 (a)漏极特性; (b)转移特性 ID0是

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