半导体物理第五章3.docVIP

§5.2 复合理论（续） 三、表面复合 1、表面复合速度 表面复合是指发生在半导体表面，通过表面特有的高密度复合中心进行的复合过程。因而，就复合机构讲，表面复合仍然是间接复合，但不是单一复合中心。所以，可以用间接复合理论来处理表面复合问题，但不能照搬SRH模型的结果。 类似于前面对间接复合过程的讨论，将表面复合看成是一种小注入状态下的非常有效的复合过程，把单位时间内通过单位表面积复合掉的电子－空穴对数，称为表面复合率，其值可表示为 式中，NST表示单位表面积中的复合中心总数，?pS表示表面附近薄层中额外载流子的平均密度，S=( vTNST具有速度量纲，称为表面复合速度，由此可将表面复合视为额外载流子?pS以垂直于表面的速度S流出了表面。 2、考虑表面复合的有效寿命 考虑到表面复合的作用，半导体样品中额外载流子寿命应是体内复合和表面复合的综合结果。设这两种复合过程是同时独立发生的，用τV和τSτV和1/τS就分别是体内复合概率和表面复合概率，总的复合概率就是二者之和，于是，两种复合过程共同决定的少子寿命 称之为考虑表面复合的有效寿命。 考虑厚度为d的薄样品，若同时计入体内复合和表面复合，则单位时间、单位面积样品中复合的额外载流子数应为 d((p/(V+2S((p。式中第二项乘2表示考虑两个表面的复合。这样，除以d即可得到考虑了表面复合作用的净复合率 由此知额外载流子的表面复合寿命τS＝d/2S 四、俄歇复合 电子与空穴复合时，把多余的能量传递给另一个载流子，将这个载流子激发到能量更高的能级上去，这种复合称为俄歇复合。俄歇复合中，被激发的第3个载流子在跃迁回到低能级时，或以发射声子的形式放出多余的能量，或激发一个价带电子到导带，因而俄歇复合是一种非辐射复合。高能载流子直接激发价带电子生成电子－空穴对的过程也就是俄歇复合的逆过程，因而称之为俄歇产生。 有可能发生的各种俄歇复合过程如图5-10所示，其中图(a)及图(d)为直接俄歇复合，或称带间俄歇复合，其余各图为与杂质和缺陷有关的俄歇复合。这里只讨论直接俄歇复合。对直接俄歇复合过程的分析类似于对直接辐射复合过程的分析，只是既然多一个电子或空穴参与，复合率即相应地变为与一种载流子的密度成正比而与另一种载流子的密度平方成正比。 用Re和Rh分别表示发射高能电子和发射高能空穴的直接俄歇复合的复合率，则 ； (5-51) 式中An和Ap分别为电子和空穴的俄歇复合系数。 与俄歇复合过程同时进行的，还有其逆过程俄歇产生。俄歇产生若是由高能电子引起的，其产生率用Gee，其大小必正比于电子的密度；若是由高能空穴引起的，其产生率用Ghh表示，其大小必正比于空穴的密度，即 ； 式中ge和gh为产生速率。利用热平衡条件下复合率与产生率相等的事实，可知 (5-63) 于是可将产生率重新表示为 当以上两种复合过程同时存在时，非平衡载流子的净复合率U为 (5-67) 上式即为在非简并情况下俄歇复合的普遍理论公式。 将n= n 0+?n，p=p0+?p及?n＝?p代入式中即得俄歇复合寿命 在小注入情况下，?n、?p (n 0+ p0)，上式约化为 对n 型和p型非本征半导体， ; 其值同直接辐射复合一样与少数载流子的注入水平无关。 对大注入情况，n型和 p 型半导体的大注入俄歇复合少子寿命与注入水平有关，即 ; 式中，AH＝An+Ap 是大注入条件下的等效俄歇复合系数。 §5.3 陷阱效应 一、陷阱与陷阱能级的基本概念 陷阱效应也是非平衡状态下发生的—种效应。 当半导体处于热平衡状态时，无论施主、受主、复合中心或是任何其他杂质、缺陷能级，其上都分布有一定数目的电子，分布密度由平衡状态下的费米能级位置决定。这时，各能级通过俘获和产生保持相互之间载流子分布的平衡。当半导体的这种平衡遭到破坏时，上述各能级上的电子数目必然发生改变。如果一个能级增加电子，说明该能级具有收容额外电子的作用；若是电子减少，则可将该能级看成具有收容额外空穴的作用。从一般意义上讲，杂质或缺陷能级这种俘获并积累额外载流子的作用就称为陷阱效应。从这个角度看，所有杂质或缺陷能级都有一定的陷阱效应，但实际上需要考虑的只是那些具有显著积累效应的能级。所谓显著，通常是指能积累的额外载流子数目可与导带和价带中的额外载流子数目相比拟。把具有显著陷阱效应的杂质或缺陷能级称为陷阱，而把产生这些能级的杂质或缺陷称为陷阱中心。 二、陷阱条件 此前已知，在通过单一复合中心进行的复合过程中，状态稳定时，复合中心能级上的电子数 nt作为导带电子和价带空穴密度的函数，其小注入条件下的微小积累可用全微分表示为 (5-71) 式中dn、dp分