模拟电子电路半导体二极管1讲.ppt

（动画1-4） PN结加正向电压 时的导电情况 （动画1-5） PN结加反向电压时的导电情况 PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 结论：PN结具有单向导电性— PN结正向电阻小，反向电阻大。 PN结理想伏安特性 PN结击穿特性 PN结的电容效应 PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。 一是势垒电容CB ， 二是扩散电容CD 。 2 半导体二极管 结构类型 1) 点接触型二极管— PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 二极管的结构示意图 (c)平面型 3) 平面型二极管— 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 2) 面接触型二极管— PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 二极管的伏安特性曲线 图示 半导体二极管的伏安特性曲线 式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降，VT 称为温度的电压当量，对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。 1) 正向特性 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 2) 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 半导体二极管的参数 1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 2) 反向击穿电压VBR——— 和最大反向工作电压VRM 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压VBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 3) 反向电流IR 4) 动态电阻rd 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?VF /?IF * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 0 绪论 电子技术是研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。 0.1 电子技术的发展 第一代电子器件——电子管 1906年，福雷斯特（Lee De Fordst）等发明了电子管，是电子学发展史上第一个里程碑。 电子管体积大、重量重、寿命短、耗电大。世界上第一台计算机用1.8万只电子管，占地170m2，重30t，耗电150kW。 第二代电子器件——晶体管 1948年，肖克利（W.Shckly）等发明了半导体三极管，其性能明显优于电子管，从而大大促进了电子技术的应用与发展。晶体管的发明是电子学历史上的第二个里程碑。 尽管晶体管在体积、重量等方面性能优于电子管，但由成百上千只晶体管和其他元件组成的分立电路体积大、焊点多，可靠性差。 第三代电子器件——集成电路 1958年，基尔白等提出将管子、元件和线路集成封装在一起的设想，三年后，集成电路实现了商品化。 第一片集成电路只有4个晶体管，而1997年一片集成电路上有40亿个晶体管。 集成电路的发展促进了电子学、特别是数字电路和微型计算机的发展，人类社会开始迈进信息时代。 集成电路按集成度可分作 (1)小规模集成电路（SSI）＜102 (2)中规模集成电路（MSI）＜103 (3)大规模集成电路（LSI）＜105 (4)超大规模集成电路(VLSI)＞105 被测 对象 传感器 信号调 理电路 显示 记录 控制 执行 温度 压力 流量 液位 等等 非电量 电量 放大 滤波 线性化 变换 等等 电子技术的应用 (1)典型应用--简单测控系统  压力、温度、水位、流量的测量与调节 （水位控制系统） 电子仪器（稳压电源、示波器、信号源）