模拟电子技术第3章场效应晶体管及其放大电路.ppt

(3) 静态分析 a. 方法一：图解法 (a) 列写输出回路方程 (c) 作图 (b) 列写输入回路方程 + _ + _ a b c d e a b c d e IDQ M N Qo UDSQ Qi UGSQ 作输出回路直流负载线 作控制特性 作输入回路直流负载线 b. 方法二：估算法 输入回路方程 当管子工作于放大区时 两式联立可求得IDQ 由此可得 + _ + _ 例 在图示电路其中，VDD=18V、RD=3kΩ、RS=1kΩ、RG=1MΩ，FET的IDSS=7mA、UGS(off)=－8V。试求UGSQ 、IDQ和UDSQ 。 UGSQ =－2.9V 得 IDQ=2.9 mA 解 由 + _ + _ 2．分压式偏置 图中 (1) 电路 (2) 静态分析 + _ + _ + _ _ + 故 分压式偏置: 增强型、耗尽型 两种偏置电路适用的FET： 自给偏压：耗尽型 + _ + _ + _ _ + 3．信号的输入和输出 常用的耦合方式 阻容耦合 变压器耦合 直接耦合 一种典型的阻容耦合共源极放大电路 + _ + + + _ + ? 3.3.2 场效应管的微变等效电路 由场效应管工作原理知： iD= f (uGS 、uDS) iG= 0 对iD全微分 FET 3.2 绝缘栅型场效应管 N沟道 IGFET 耗尽型 增强型 P沟道 N沟道 P沟道 绝缘栅型场效应管的类别 3.2.1 增强型绝缘栅场效应管 1. 结构示意图 g s d N+ N+ SiO2保护层 Al b P P N+ S G D N+ 以P型半导体作衬底 形成两个PN结 SiO2保护层 引出两个电极 引出两个电极 引出栅极 Al 从衬底引出电极 P N+ S G D N+ SiO2保护层 Al 故又称为MOS管 管子组成： a. 金属 （Metal) b. 氧化物 (Oxide) c.半导体(Semiconductor) 2. 工作原理 电路连接图 P N+ S G D N+ – + + – (1) uGS =0 ,uDS≠0 源极和漏极之间始终有一个PN结反偏，iD=0 P N+ S G N+ iD=0 D – + + – P N+ S G N+ iD=0 D – + + – 2．uGS 0 ,uDS =0 产生垂直向下的电场 P N+ S G N+ iD=0 D – + + – 电场排斥空穴 形成耗尽层 吸引电子 P N+ S G N+ iD=0 D – + + – 形成导电沟道 当uGS =UGS(th)时 出现反型层 P N+ S G N+ iD=0 D – + + – UGS(th)—开启电压 N沟道增强型MOS管，简称NMOS N沟道 P N+ S G N+ iD0 D – + + – 3．当uGS UGS(th） ,uDS0时. uDS (b) 沿沟道有电位梯度 (a) 漏极电流iD0 uDS增大，iD增大。 P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS (b) 沿沟道有电位梯度 3．当uGS UGS(th） ,uDS0时. (c)不同点的电场强度不同,左高右低 (a) 漏极电流iD0 uDS增大，iD增大。 P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS (d)沟道反型层呈楔形 (b) 沿沟道有电位梯度 3．当uGS UGS(th） ,uDS0时. (c)不同点的电场强度不同,左高右低 (a) 漏极电流iD0 uDS增大，iD增大。 a. uDS升高 沟道变窄 P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS 反型层变窄 b. 当uGD =uGS-uDS=UGS(th）时 P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS 沟道在漏极端夹断 (b) 管子预夹断 (a) iD达到最大值 c. 当uDS进一步增大 (a) iD达到最大值且恒定 P N+ S G N+ iD0 D – + + – uDS P N+ S G N+ D – + + – uDS 沟道夹断区延长 (b) 管子进入恒流区 2．伏安特性与参数 a．输出特性 可 变 电 阻 区 放大区 截止区 输出特性曲线 2 4 0 6 10 20 (1) 可变电阻区 a. uDS较小，沟道尚未夹断 b. uDS ＜ uGS- |UGS(th)| c.管子相当于受uGS控制的压控电阻 各区的特点： 可 变 电 阻 区 2 4 0 6 10 20 (2) 放大区(饱和区、恒流区) 沟道预夹断 c. iD几乎与uDS无关 d. iD只受uGS的控制 b. uDS uGS- |UGS(th)| 放大区 2 4 0 6 10 20 截止区 a. uGS＜UGS(th) (3) 截止区 b.无沟道完