微型计算机系统原理及应用第4章半导体存储器.ppt

本章重点介绍两部分内容： 存储器是计算机中存储信息的部件。它可以把需要CPU处理的程序和原始数据存储起来。 4.1概 述 在现代微机中同时采用三级存储层次，构成cache-内存-外存三级存储系统。P258/P219 4.1.1 存储器的分类:外存和内存 按存储器载体分类 （1）磁介质存储器 速度较慢，一般用作外存。如磁盘、磁带等。 （2）半导体存储器 容量大，速度快，体积小，功耗低，广泛用于大、中、小及微型机中作内存 （3）光存储器 速度快，但需复杂的硬件，主要用作外存 4.1.3 半导体存储器的主要技术指标 1．存储容量——指每个存储器芯片所能存储的二进制数的位数。通常以单元数×数据线位数表示。 2114：1K?4 6264： 1K ? 8=1KB，1MB=210KB 2． 存取速度 用存取时间来衡量，存取时间指从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据所需要的时间。 存取时间：超高速存储器：小于20ns；中速：100~200ns；低速：300ns以上 4.2 随机读写存储器（RAM） 4.2.1 静态RAM 1. 静态RAM的基本存储电路 MOS型静态RAM的基本存储单元通常由六个MOS场效应晶体管构成，只要不切断电源，其写入的数据可长期保留，且不需动态刷新。 2）读出过程： 经地址译码后选中此电路（单元），即选择线上为高电平。这时，由于A与I/O线通，B与I/O#线通，所以I/O线上的状态即要读出的数据。 这种电路，当读出之后，原存储的数据完好不变，称为非破坏性读出。 2．静态RAM的结构 将多个存储单元按一定方式排列起来，就组成了一个静态RAM存储器。 典型的SRAM 6116：2KB，A0~A10，D0~D7形成128*16*8（每8列组成看作一个整体操作）的阵列 典型的SRAM芯片6264 (8KB) A0～Al2----13根地址信号线，通常接到系统地址总线的低13位上，以便CPU能够寻址芯片上的各个存储单元。 D0～D7----8根双向数据线，与系统的数据总线相连。 4.2.2 动态RAM 1．动态RAM存储电路 4.2.3 双口RAM 1.概述 (1)双端口RAM：用于高速共享数据缓冲器系统中、两个端口都可以独立读/写的静态存储器，实际上它是作为双CPU系统的公共全局存储器来使用的。 (2)VRAM：用于图形图像显示中大容量双端口读写存储器，专门为加速视频图像处理而设计的一种双端口DRAM (3)FIFO：用于高速通信系统、图像图形处理、DSP和数据采集系统以及准周期性突发信息缓冲系统的先进先出存储器，它有输入和输出两个相对独立的端口，当存储器为非满载状态时，输入端允许将高速突发信息经输入缓冲器存入存储器，直至存满为止，只要存储器有数据，就允许最先写入的内容依次通过缓冲器输出。 (4)MPRAM：用于特定场合的多端口存储器，用于多CPU系统的共享存储器。 2. 双端口RAM举例 CY7C130/131/140/141 1K*8bit高速双端口SRAM A0~A9：地址线 I/O0~I/O7：数据线 CE#：片选 OE#：输出允许线 R/W#：读写控制 BUSY#： INT#： 存储器的基本组成 半导体存储器的内部结构为例 高集成度DRAM和内存条 168线的内存条（64+8位） SAMSUNG公司的KMM375S1620BT，容量为16M*72（128MB），集成了18片16M*4的SDRAM，有64位数据线，还有8位奇偶校验位。 4．3 半导体只读存储器（ROM） 4.3.1??掩膜式只读存储器ROM ROM制造厂家按用户提供的数据，在芯片制造时写定。用户无法修改。 4.3.2 可编程的只读存储器PROM 只能写入一次。 4.3.3 可编程、可擦除的只读存储器EPROM 1. 紫外线擦除的EPROM 擦除：用12mW／cm2的紫外线（或X射线）相距3cm，进行照射10～20min，擦除原存信息，成为全1状态。 写入：使用专门的写入器（也叫编程器）用加电压的手段使要存入“0”的那些存储位进行写“0”，而对要存“1”的存储位不加电压，仍保存原有的“1”代码。 2. 电可改写的、可重编程的只读存储器EEPROM 擦除时让电流只通过指定的存储单元，把其中一个字（或字节）擦去并改写。 常用的EPROM： Intel 2716 （ 2K X 8）， 2732（4KB）， 2764 (8KB) ，27128 (16KB)，27256 (32KB)