武大方鹏飞老师《材料化学》课件---晶体缺陷.ppt

第三节 晶体的结构缺陷 总述—— 1、缺陷产生的原因——热震动 杂质 2、 缺陷定义——实际晶体与理想晶体相比有一定程度的偏离或不完美性， 把两种结构发生偏离的区域叫缺陷。 3、研究缺陷的意义——导电、半导体、发色（色心）、发光、扩散、烧结、固相反应………。（材料科学的基础） 4、 缺陷分类——点缺陷、线缺陷、面缺陷 第一节 点缺陷 一、类型 A 根据对理想晶体偏离的几何位置来分，有三类 二、缺陷化学反应表示法 用一个主要符号表明缺陷的种类 用一个下标表示缺陷位置 用一个上标表示缺陷的有效电荷 如“ . ”表示有效正电荷; “ / ”表示有效负电荷; “×”表示有效零电荷。 用MX离子晶体为例（ M2＋ ；X2－ ）： （1）空位： VM 表示M原子占有的位置，在M原子移走后出现的空位； VX 表示X原子占有的位置，在X原子移走后出现的空位。 2、置换型固溶体 (1)离子大小 相互取代的离子尺寸越接近，