电子镇流荧光灯与三极管的几点认识.ppt

电子镇流荧光灯与三极管的几点认识 深圳深爱半导体有限公司 叶文浩 目录 1、避免三极管损坏的几点认识（三极管能做多大规格的灯，仍然很可靠） 2、半桥逆变电路原理分析探讨 避免三极管损坏的几点认识 电压指标够用就行，电流特性是用户最有使用价值的指标。(110V低电压系列也是这一思想的产物） 自感电势反峰电压在导通管上泄放 半桥逆变电路电感负载产生的自感电势反峰电压是加在导通管上泄放的。 实际使用的不是Bvceo Bvcer一般要大于Bvceo（用触发管DB3） BVceo=400V已被广泛接受，380-400V的很好用 BVcbo=500V的13001也被广泛接受 最终损坏是功率击穿 最终损坏是功率击穿，超过功率容限(SOA) （25℃） 三极管的功率容限随着温度上升而下降的必须控制三极管的发热 在开关工作状态下，晶体三极管上消耗的功率由以下三部分组成： WOFF=VCE×I漏 WON=VCES×IC W过渡=ΣVt×It×△t/t(∫0t Vt It dt/t） 变化范围比较大 ——控制发热 最终损坏是功率击穿 1、稳态工作的左右两个交叉（三极管VCE、IC） 2、启辉过程的功率冲击 1-1、影响右（电流下降）交叉的因素 ①三极管的tf ②基极驱动的强弱 （结合抗饱和三极管功能讲） 抗过饱和电路的作