电子线路清华大学出版社,董尚斌主编第1章4场效应管.ppt

2. 结型场效应管的伏安特性曲线 （1） 输出特性曲线 　　当栅源之间的电压 v GS 不变时，漏极电流 i D 与漏源之间电压 v DS 的关系，即 （2）转移特性 　　场效应管的两组特性曲线之间互相联系，可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。 在漏极特性上用作图法求转移特性 非饱和区（可变电阻区） 沟道夹断前 输出特性 沟道电导： 饱和区 输出特性 在放大电路中，场效应管应工作在饱和区，故饱和区又称为场效应管的放大区。 饱和区，v DS 对沟道长度有调节作用，使输出特性曲线略微上翘。 ——沟道调制因子 截止区 沟道没有形成 击穿区 v DS过大 绝缘层在强电场作用下击穿，造成永久性损坏 引起穿通击穿 3）转移特性曲线 v DS 的增大使电流增大 MOSN沟道增强型饱和工作区偏置条件 4) 衬底电位对场效应管的影响 为了保证PN结反偏，对N沟道MOS场效 应管，v BS 必须是负压。 ——衬底与源极间的电压 v BS负压的增大将使电流减小 N沟道耗尽型MOS是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。 2. 耗尽型MOS场效应管 沟道的形成？ 正离子已经在漏源之间感应出反型层，形成了沟道。 只要有漏源电压，就有漏极电流存在。 沟道的形成 P沟道 N沟道 耗尽型MOS场效应管的电路符号 漏极电流的