湖南大学电子线路课件3场效应管.ppt

第 三 章;场效应管有:; N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上覆盖一层金属铝作为栅极G(目前多采用多晶硅)。P型半导体称为衬底，用符号B表示。;通常情况下，源极一般都与衬底极相连；正常工作时，作为源、漏区的两个N+区与衬底之间的PN结必须外加反偏电压。;二、vGSVGS(th)，0vDSvGS－VGS(th) ;工作原理总结;3.1.3 EMOS场效应特性 ;亚阈区：vGS?VGS(th)时，iD不会突变到零，但其值很小(?A量级)。通常将VGS(th)附近的很小区域(VGS(th)?100mV)称为亚阀区或弱反型层区。;二、衬底效应 ;3.1.4 DMOS场效应管;3.1.5 场效应管等效电路; 例 在下图所示N沟道EMOS管电路中，已知RG1＝1.2 M?，RG2＝0.8 M?，RS＝4 k?，RD＝10 k?，VDD＝20 V，管子参数为?CoxW/(2l)＝0.25 mA/V2，VGS(th)＝2 V，试求ID。 ;二、小信号模型 ;计及沟道长度调制效应;考虑衬底效应：;高频小信号模型：;2．非饱和区小信号模型 ;Ｎ沟道：衬底接最低电位， iD为电子电流， vDS0，vGS正向增加