[高等教育]半导体物理学 第二章 半导体中的杂质和缺陷.pptVIP

浅能级杂质电离能的简单计算 等电子陷阱　　 特征： a、与本征元素同族但不同原子序数 例：GaP中掺入Ⅴ族的N或Bi b、以替位形式存在于晶体中，基本上是电中性的。 如GaAsP中的P位置由N占据，存在着由核心力引起的短程作用力，它们可以吸引一个导带电子（空穴）而变成负（正）离子，前者就是电子陷阱，后者就是空穴陷阱。 §2.2半导体中的深能级杂质 （1）浅能级杂质 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的缺陷 由于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是负电性差别较大的元素结合成的晶体，主要是离子键起作用，正负离子相间排列组成了非常稳定的结构，所以外界杂质对它们性能的影响不显著，半导体的导电类型更主要的是由它们自身结构的缺陷（间隙离子或空格点）所决定，这类缺陷在半导体中常起施主或受主作用。 a.负离子空位 产生正电中心，起施主作用 ●+ 电负性小 ● b.正离子填隙 产生正电中心，起施主作用 c.正离子空位 产生负电中心，起受主作用 电负性大 d.负离子填隙 产生负电中心，起受主作用 （2）深能级杂质 △E D≮Eg △EA≮Eg △E D △EA EA E D E D EA Ec Ec Ev Ev △ED《Eg △EA《Eg * * * * 微电子与固体电子学院 B A P原子中这个多余的电子的运动半径远远大于其余四个电子，所受到的束缚最小，极易摆脱束缚成为自由电子。 P原