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材料化学导论第2章-材料化学的理论基础
材料化学的理论基础;固体的分类;3;晶体的分类;5;6;7;2.1 晶体与非晶体;9;固体材料按其质点的聚集状态可分为:;2.1.1 固体的基本属性;液体固化的两种方式 ;13;晶体与非晶体的结构特点;2.1.2 晶体的宏观特性;3、有固定熔点:P22
4、各向异性 :同一晶体不同方向的性质不同
思考题:非晶体呢?
;晶体的性质;2.有固定的熔点
;晶体与非晶性质不同的原因;2.1.3 非晶态与晶态的转化;3、非晶态材料的转化 ;2.2 晶体材料的微观结构;描述晶体结构的物理量;24;晶胞和晶格;26;27;基元:
周期性排列构成晶体的最小原子(分子或离子)基团,称为该晶体的基本结构单元,简称基元。
布拉菲格子(点阵)
晶体一定具有平移周期性。在每个基元里找一个点,使他们具备完全相同的物理、化学和几何环境,即等同点。;基矢和元胞
基矢 a1, a2, a3:
(1) 起点,终点必须落在阵点上。
(2) a1, a2, a3不共面。
(3)基矢上不能有阵点。
任何一个阵点的位置矢量都可以写为:
Rm=n1a1+n2a2+n3a3 (n1,n2,n3为整数)
元胞:由a1, a2, a3组成的平行六面体
元胞的体积:Vc=a1?(a2×a3)
元胞不是唯一的。;30;晶列和晶面;晶面
在晶格中通过任意三个不在同一直线上的格点做的平面。
晶面特点:
1.平行的晶面组成晶面族,晶面族包含所有格点;
2.晶面上格点分布具有周期性;
3.同一晶面族中格点分布相同;
4.同一晶面族相邻晶面间距相等。;晶面指标
晶体的空间点阵可划分为一组平行而等间距的平面点阵。晶体外形中每个晶面都和一组平面点阵平行,可根据晶面和晶轴相互间的取向关系,用晶面指标标记同一晶体内不同方向的平面点阵族或晶体外形的晶面。;34;35;晶体的对称性;37;38;镜面m和倒反操作i;七个晶系;七个晶系及其特征对称元素;晶系 特征对称元素 晶胞参数 对称元素方向
三方 三重轴(平行于C轴, a=b≠c c a -
按六方取)或三重 α=β=90°
反轴 γ=120°
正交 二个互相垂直的对称 a≠b≠c a b c
面或三个互相垂直的 α=β=γ=90°
二重轴
单斜 一个二重轴或对称面 a≠b≠c b - -
α=γ=90°
三斜 无或仅有一个 a≠b≠c
对称中心 α≠β≠γ ;43;第二章 理论基础材料化学的理论基础; 能带 (energy band);47;48;49;50;54;55;56;57;2.4 晶体缺陷化学;2.4.1 缺陷的分类 ;二、按缺陷产生的原因分类;2.4.2 点缺陷;定义:正常结点上的原子(离子)跳到表面,原来位置形成空位。特点:对于离子晶体,正、负离子空位数相等,体积增加(新表面);定义:正常结点上的原子(离子)跳入间隙:形成间隙原子特点:空位与间隙粒子成对出现;晶体体积不变。;※ 讨论;2.4.4 缺陷符号及缺陷反应方程式;二元化合物MX为例;67;2、缺陷反应方程式;位置关系(看下标):
在化合物MaXb中,无论是否存在缺陷,其正负离子位置数(即格点数)的之比始终是一个常数a/b,即:M的格点数/X的格点数?a/b。如NaCl结构中,正负离子格点数之比为1/1,Al2O3中则为2/3。;② 质量平衡(看主体):与化学反应方程式相同,缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所在的位置,对质量平衡无影响。(V的质量=0)
③ 电中性(看上标):电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等,晶体必须保持电中性。;反应方程式; 半径小的Ag+离子进入晶格间隙,在其格点上留下空位,方程式为:
AgAg×?
;杂质(组成)缺陷反应──杂质在基质中的溶解过程
杂质进入基质晶体时,一般遵循杂质的正负离子分别进入基质的正负离子位置的原则,这样基质晶体的晶格畸变小,缺陷容易形成。在不等价替换时,会产生间隙质点或空位。;例3 写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式;2.4.7 位错及其对物性的影响 (P66);2 位错类型;77;;正刃型位错(左)和负刃型位错(右);80;81;82;83;3 位错作用;2.4.8 材料表面与界面;二、材料中的表面、界面问题 ;2、晶界;3、晶界
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