第六章-金属和半导体的接触-朱俊-09.pptx

第 六 章 ;1、金属与半导体形成的肖持基接触和欧姆接触，阻挡层与反阻挡层的形成； 2、肖特基接触的电流—电压特性——扩散理论和热电子发射理论，即肖特基势垒的定量特性；（详细阐述） 3、欧姆接触的特性。 ;2、MESFET( metal-semiconductor field-effect transistor) 具有与MOSFET相似的电流－电压 特性，但在器件的栅(gate)上电极部分利用金属 －半导体的整流接触取代了MOSFET的MOS结 构；用欧姆接触取代MOSFET的p-n结。;3、第一个实际的半导体器件就是点接触整流性 的金半接触，就是将细须状金属压在半导体表面 。从1904年起，该器件有许多不同的应用。;二、金属和半导体的功函数Wm 、Ws;2、半导体的功函数Ws;① N型半导体：;;三、金属与半导体的接触及接触电势差;金属半导体接触前后能带图的变化：;在接触开始时，金属和半导体的间距大于原子的 间距，在两类材料的表面形成电势差Vms。;现在考虑忽略间隙中的电势差时的极限情形:;在势垒区，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度比体内小得多，是一个高阻区域，称为阻挡层。界面处的势垒通常称为肖特基势垒。;金属与P型半导体接触时，若WmWs，即金属的费米能级比半导体的费米能级高，半导体的多子空穴流向金属，使得金属表面带正电，半导体表面带负电，半导体表面能带向下弯曲，形成