[工学]第4章 单口网络.ppt

例1 半波整流电路 例2 单相全波桥式整流电路. 例5 二极管译码器工作原理 N0 － + us2 1 2 R （b） i 对于图（b）中R而言， 端以右网络可等效为实际 电流源模型，如图（d）所示。 R R0 isc i （d） 1 互易定理及其应用可以推广到正弦稳态交流电路。 根据诺顿定理 .. §2-2 互易定理 . §4-8 最大功率传递定理 … N1 N2 RL R0 uoc － + i 设uoc、R0均给定，RL可变， 当RL=？时，其功率p = pmax 。 例4-18 （P146） . §4-9 T形网络Π和形网络的等效变换 … R1 R2 R3 1 2 3 R31 R12 R23 1 2 3 §4-9 T形网络Π和形网络的等效变换 … ⑤+⑥+⑤×⑥/⑦ ⑥+⑦+⑥×⑦/⑦ ⑦+⑤+⑦×⑤/⑦ （i、j、k为三端钮标志） P150 图4-64 . §4-9 T形网络Π和形网络的等效变换 … 例 4-3 （可用§4-9中T—Π变换求解） 例 4-5（P132 例 4-11）、例 4-6 §4-4 单口网络的等效电路 （P122） 例4-7、例4-8 例4-9 （与例4-2类似；与P141例4-16相同） 例4-10 （本题无独立源，不宜用短路电流法求解， 可用外施电源法求解） §4-5 一些简单的等效规律和公式 （P127～133） 例4-12 回阅 作业题： P154 . 4-22、4-30 、4-32 － + u i 2Ω 1Ω 1Ω － + u i 例 4-3 . 1/3Ω 1/3Ω 1/3Ω 4/3Ω . 4/3Ω 7/3Ω 4/3Ω 28/33Ω － + u i 24/11Ω － + u i 1Ω 2Ω 1Ω 1Ω 1Ω － + u 1Ω i §4-9 T形网络Π和形网络的等效变换 … P116 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间，例如硅、锗以及大 多数金属氧化物和硫化物都是半导体。 本征半导体： 完全纯净且原子排列整齐，具有晶体结构的半导体。 原子核 价电子 +14 硅(Si)原子结构 惯性核 价电子 硅原子结构简化图 +4 * 半导体二极管和三极管简介…. +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 晶体结构 .. +4 * 半导体二极管和三极管简介…. +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 热激发产生电子—空穴对 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 +4 硅中掺硼形成P型半导体 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +4 硅中掺磷形成N型半导体 硼原子 空穴 自由电子 磷原子 空穴 自由电子 * 半导体二极管和三极管简介…. 空间电荷区 P 区 N 区 扩散 内电场方向 受主杂质离子 （硼原子→负离子） 施主杂质离子 （磷原子→正离子） PN结 PN结 的形成 * 半导体二极管和三极管简介 … 内电场 外电场 变窄 空间电荷区 外电场 内电场 变 宽 二极管的 工作原理 0 0.4 0.8 u(V) i(mA) －60 ―40 ―20 20 80 60 40 (μA) ―40 ―20 二极管伏安特性曲线 * 半导体二极管和三极管简介 …. N N P iB iE iC Ec Eb Rb B C E N N P Eb Rb B C E Ec 基区 发射区 集电区 1. 发射区向基区扩散电子; 2. 电子在基区扩散和复合; 3. 集电区收集从发射区扩散过来的电子。 .. 电流分配 . 载流子运动 . icbo iBE iCE 三极管的 工作原理 * 半导体二极管和三极管简介 …. V V b c e Eb Ec uCE iE iC iB uBE + + － － 80 60 40 20 iB(μA) 0 0.4 0.8 uBE(V) uCE≥1 输入特性曲线 iB =70(μA) 60 50 40 30 20 0 三极管的特性曲线 * 半导体二极管和三极管简介 …. 饱和区 截止区 输出特性曲线