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第二章 双极型晶体三极管（BJT） §2.1 知识点归纳 一、BJT原理 ·双极型晶体管（BJT）分为NPN管和PNP管两类（图2-1，图2-2）。 ·当BJT发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置。在放大偏置时，NPN管满足；PNP管满足。 ·放大偏置时，作为PN结的发射结的VA关系是：（NPN），（PNP）。 ·在BJT为放大偏置的外部条件和基区很薄、发射区较基区高掺杂的内部条件下，发射极电流将几乎转化为集电流，而基极电流较小。 ·在放大偏置时，定义了（是由转化而来的分量）极之后，可以导出两个关于电极电流的关系方程： 其中，是集电结反向饱和电流，是穿透电流。 ·放大偏置时，在一定电流范围内，、、基本是线性关系，而对三个电流都是指数非线性关系。 ·放大偏置时：三电极电流主要受控于，而反偏通过基区宽度调制效应，对电流有较小的影响。影响的规律是；集电极反偏增大时，，增大而减小。 ·发射结与集电结均反偏时BJT为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT为饱和状态。 二、BJT静态伏安特性曲线 ·三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族。BJT常用CE伏安特性曲线，其画法是： 输入特性曲线：（图2-13） 输出特性曲线：（图2-14） ·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。 ·输出特性曲线族把伏安平面分为4个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线，反映近似为常数，放大区曲线向上倾是基区宽度调制效应所致。 ·当温度增加时，会导致增加，增加和输入特性曲线左移。 三、BJT主要参数 ·电流放大系数：直流，直流；交流和，、也满足。 ·极间反向电流：集电结反向饱和和电流；穿透电流 ·极限参数：集电极最大允许功耗；基极开路时的集电结反向击穿电压；集电极最大允许电流 ·特征频率 BJT小信号工作，当频率增大时使信号电流与不同相，也不成比例。若用相量表示为，，则称为高频。是当高频的模等于1时的频率。 四、BJT小信号模型 ·无论是共射组态或共基组态，其放大电压信号的物理过程都是输入信号使正偏发射结电压变化，经放大偏置BJT内部的的正向控制过程产生集电极电流的相应变化（出现信号电流），在集电极电阻上的交流电压就是放大的电压信号。 ·当发射结上交流电压mV时，BJT的电压放大才是工程意义上的线性放大。 ·BJT混合小信号模型是在共射组态下推导出的一种物理模型（图2-28），模型中有七个参数： 基本参数：基区体电阻，由厂家提供、高频管的比低频管小 基区复合电阻：估算式：，——发射结交流电阻 跨导：估算（ms）， 基调效应参数 ：估算，——厄利电压 ：估算 以上参数满足： 高频参数：集电结电容 ：由厂家给出； 发射结电容：估算* ·最常用的BJT模型是低频简化模型 （1）电压控制电流源（）模型（图2-23） （2）电流控制电流源（）模型（图2-24，常用），其中 §2.2 习题解答 2-1 如果在电路中测得放大偏置的BJT的三个电极的电位为下面四组数据： （1） 7.1V, 2.16V, 1.4V （2） 6.1V, 5.8V, 1V （3） 8.87V, 8.15V, 2V （4） –9.6V, –9.27V, 0V 试判断各电位对应的电极以及三极管的类型（NPN管或PNP管）和材料（Si管或Ge管）。 [解] 将三电压按从高到低排列，列出如下表： 题 号 （1） （2） （3） （4） 电位（V） 7.1 2.16 1.4 6.1 5.8 1 8.87 8.15 2 0 电 极 C B E E B C E B C C B E 管 型 NPN PNP PNP NPN 材 料 Si Ge Si Ge ? 2-2 如果将BJT的集电极与发射极对调使用，在放大偏置时，IC≈IE的关系是否仍然成立？为什么？ [解] 不成立。集电区较基区不是高掺杂，中有较大的成分是基区多子向集电区注入形成。这部分电流不能转化为，会比明显减小。 2-3 图示电路可以用来测量晶体管的直流参数。改变电阻RB的值，由两支电流表测得两组IB和IC的数值如下表所示。 IB 6μA 18μA IC 0.4mA 1.12mA （1） 由数据表计算﹑ICBO﹑ICEO和 （2 ）图中晶体管是Si管还是Ge管？ [解] （1）由 图P2-3 联立 求得，A A （2）是Ge管。为A量级，硅管不可有如此大的集电结反向饱和电流。 2-4* 由两支锗PNP管T1和T2可以组合成的一支等效PNP管（称为复合管）。已知T1的，ICBO1=1μA。T2的，ICBO2=1