第4章 晶界.ppt

——古一—— ——古一—— ——古一—— * 第四章 晶界 § 晶界 § 小角度晶界位错模型 § 晶界能 ——古一—— * 4.1 面缺陷在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。1、 外表面 晶体表面结构与晶体内部不同，由于表面是原子排列的终止面，另一侧无固体中原子的键合，其配位数少于晶体内部，导致表面原子偏离正常位置，并影响了邻近的几层原子，造成点阵畸变，使其能量高于晶内。 晶体表面单位面积能量的增加称为比表面能，数值上与表面张力σ相等以γ表示。 一般外表面通常是表面能低的密排面。 对于体心立方{100}表面能最低，对于面心立方{111}表面能最低。 ——古一—— * 2、面缺陷——晶界和亚晶界 实际金属材料是多晶体材料，则在晶体内部存在着大量的晶界和亚晶界。晶界和亚晶界实际上是一个原子排列不规则的区域（如图），该处晶体的晶格处于畸变状态，能量高于晶粒内部，在常温下强度和硬度较高，在高温下则较低，晶界容易被腐蚀等。 ——古一—— * 晶界的定义：在多晶体中每个晶粒与周围相邻晶粒的取向是不同的，属于同一固相但取向不同的晶粒间的内界面称为晶粒间界（简称晶界）。 多晶体中，每个晶粒内部原子也并非十分整齐，会出现位向差极小的亚结构，亚结构之间的交界为亚晶界。 晶界是晶体中重要的一种面缺陷，晶界理论包括静力学和动力学，静力学研究晶界的结构和晶界的能量，动力学研究晶界在外应力作用下的运动。 晶界是晶体的一个重要组成部分，晶界本身的性质，如晶界能、晶界迁移率、晶界成分等，在很大程度上影响着晶体的性能。 ——古一—— * 晶界可以分为大角度晶界（一般称晶界）和小角度晶界（一般称亚晶界）。大致的说，晶粒间的取向差小于10度的可称为小角度晶界，在一般情况下可以用位错阵列来描述。 大角度晶界：位向差在30～46度范围，结构十分复杂，难以用一个确定的模型描述它。过冷液体模型、小岛模型、晶界的接触模型、点阵重合加位错阵列模型。 晶界处，原子排列紊乱，使能量增高，即产生晶界能 ——古一—— * 一般的晶界具有五个自由度，三个自由度确定一个晶粒相对另一个晶粒的位向，而两个自由度确定晶界相对于其中一个晶粒的位向。 ——古一—— * 4.2 小角度晶界位错模型 由于晶粒边界对材料的力学、腐蚀、冶金性能等都有很大的影响，因此人们对晶界的结构（原子组态）非常感兴趣，进行过许多理论和实验研究。早期人们根据晶界在高温下具有粘滞流动的特点曾提出，晶界是非晶质，即晶界附近的原子是完全紊乱排列的，但后来的研究发现，晶界是两个不同位向的晶粒之间很薄的过渡层，它具有特定的结构——包含高密度的位错和点缺陷。至于晶界位错的性质及分布则和相邻晶粒的位向差有关。目前研究得比较成熟得是位向差较小（通常小于5°，最多不超过10°）的晶界，即所谓小角度晶粒边界。 ——古一—— * 1）倾侧晶界（tilt boundry） 倾侧晶界又分为对称倾侧晶界和一般倾侧晶界。 对称倾侧晶界的模型：晶界平面的平均位置是（100）面，即n=[100]，转轴是u=[001]，故只有一个变数（一个自由度），即转角θ。从图可以看出，这种对称小角度倾侧晶界是由位于晶界平面内，柏氏矢量均为b=[100]的平行同号刃型位错组成的位错墙（位错线均平行于[001]方向）。由于晶界平面是两个相邻晶粒的对称平面，故称为对称倾侧晶界，转角θ称为倾侧角。 ——古一—— * 由图中的几何关系可以看出，位错之间的距离 当θ是小于5°左右时，位错间距与点阵常数相比是很大的，晶界上的单个位错便能清楚地辨明和描述。而当θ超过15°时，相邻位错便坐落在彼此只几个原子间距之内，以致于很难分辨出单个的位错，因此，仅用位错阵列来描述大角度晶界就不行了。 描述对称倾侧晶界只需要一个变量，即绕平行于两晶体界面的公共轴转动的位向差θ，因此，对称倾侧晶界是具有一个自由度的最简单的晶界。 ——古一—— * 一般侧倾晶界 它是由两个简单立方晶体绕共同的轴[100]相对转动θ角后，晶界又绕晶粒的共同轴转动φ角而成（具有两个自由度）。因此晶界和其中一个晶粒的[100]轴成φ＋θ/2角，而和另一个晶粒的[-100]轴成φ－θ/2 角。同对称侧倾晶界一样，联结区域的畸变不能单靠弹性形变去适应，还应有一系列半原子面终止在晶界，这样的半原子面有两组，一组半原子面以竖直方向插入，另一组以水平方向插入，即相当于两组刃型位错排列在晶界上。根据Read等人的计算，晶界上的总位错密度为： ——古一—— * 2）扭转晶界（tarist boundary） 如果相邻两晶体绕垂直于界面的旋转轴相对转动就构成扭转晶界。形成这样的晶界需要两组螺位错构成网络，一