LED的检测方法.docVIP

第二部分 发光二极管测试方法 摘要 系统地介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求。 1 前 半导体发光二极管是一种重要的光电子器件,它在科学研究和工农业生产中均有非常广泛的应用.发光二极管虽小,但要准确测量它的各项光和辐射参数并非一件易事.目前在世界范围内的测试比对还有较大的差异.鉴于此,CIE(国际照明委员会)TC2-34小组对此进行了研究,所提出的技术报告形成了CIE127-1997文件.,初步制定了行业标准发光二极管测试方法,2002年起在行业内部试行.本文叙述了与发光二极管测试有关的术语和定义,在此基础上,详细介绍了测试方法和测试装置的要求,以期收到抛砖引玉之效果./可见光/红外发光二极管及其组件,其芯片测试可以参照进行。2 术语和定义2.1发光二极管 LEDLED应该仅应用于发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫红外发光二极管（IRED,Infrared Emitting Diode）；发射峰值波长在可见光短波限附近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；但是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。2.2光轴 Optical axis2.3正向电压VF Forward voltage2.4反向电流IR Reverse current2.5反向电压VR Reverse voltageLED器件通过的反向电流为确定值时，在两极间所产生的电压降。2.6总电容C Capacitance2.7开关时间 Switching time10％和90％，除非特别注明。2.7.1开启延迟时间td(on) Turn-on delay time2.7.2上升时间tr Rise time2.7.3开启时间ton Turn-on timeton= td(on)+tr 图1 开关时间 延迟时间2.7.4关闭延迟时间td(off) Turn-off delay time 2.7.5下降时间tf Fall time1）。2.7.6关闭时间toff Turn-off timetoff =td(off)+tf  2.8光通量Φv Luminous flux2.9辐射功率Φe Radiant power2.10辐射功率效率ηe Radiant power efficiency 与器件的电功率（正向电流 乘以正向电压 ）的比值：e =Φe/(IF?VF) 注：在与其它术语不会混淆时，可简称为辐射效率 (Radiant efficiency)。2.11光通量效率ηv Luminous flux efficiencyv 与器件的电功率（正向电流 IF乘以正向电压 VF）的比值：v =Φv/(IF?VF) 注：在与其它术语不会混淆时，可简称为发光效率（Luminous efficiency）。2.12发光（或辐射）空间分布图及相关特性2.12.1发光（或辐射）强度Iv Luminous（or Radiant） intensityIv =dΦ/dΩ。发光（或辐射）强度的概念要求假定辐射源是一个点辐射源，或者它的尺寸和光探测器的面积与离光探测器的距离相比是足够小，在这种情形，光探测器表面的光（或辐射）照度遵循距离平方反比定理，即E=I/d2 I是辐射源的强度，d是辐射源中心到探测器中心的距离。把这种情况称为远场条件。LED时所用的距离相对较短，源的相对尺寸太大，或者探测器表面构成的角度太大，这就是所谓的近场条件。此时，光探测器测量的光（或辐射）照度取决于正确的测量条件。2.12.2平均LED强度 Averaged LED intensityLED一定距离处的光探测器上的通量Φ与由探测器构成的立体角Ω S除以测量距离d的平方计算得到。I=Φ/Ω=Φ/(S/d2) CIE推荐标准条件A和B(见7.2.1.2)来测量近场条件下的平均LED强度,可以分别用符号ILED A和ILED B来表示,用符号ILED Ae和ILED Av分别表示标准条件A测量的平均LED辐射强度和平均LED发光强度。2.12.3发光（或辐射）强度空间分布图 Luminous（or Radiant）diagram2）：Iv(或Ie)=f(θ) 2 辐射图和有关特性1：除非另外规定，发光（或辐射）强度分布应该规定在包括机械轴Z的平面内。2：如果发光（或辐射）强度分布图形有以Z轴为旋转对称特性，发光（或辐射）强度空间分布图仅规定一个平面。3：如果没有以Z轴为旋转对称特性，各种角度θ的发光（或辐射）强度分布应有要求，X、Y、Z方向要求可有详细规范定义。2.12.4半强度角θ1/2 Ha