郑州大学 模电课件1.3-BJT.ppt

* * 1.3 晶体三极管 双极型三极管：Bipolar Junction Transistor 只有一种极性的载流子参与导电. 三极管 有两种极性的载流子参与导电. 单极型三极管 (场效应管)：Field Effect Transistor 按工作频率分：高频管、低频管 按功率分：小、中、大功率管 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN型、PNP型 BJT的类型： 一、BJT的结构和工作原理 二、BJT的静态特性曲线 三、BJT的主要参数 四、BJT的交流小信号模型 晶体三极管又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管 1.3.1　三极管的结构 　　 硅平面管 平面型(NPN) N e c N P b 二氧化硅 e 发射极 b基极 c 集电极 三极管结构示意图和符号　　(a)NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N 　三极管结构示意图和符号　　(b)PNP 型 re BJT由两个PN结和三个电极构成 + + NPN管比PNP管应用更广泛，特别在一般的半导体集成电路中，NPN管性能优于PNP管，故重点讨论NPN管。 基区 发射区 集电区 发射结 集电结 发射极 基极 集电极 注意区分两者的符号 箭头方向表示电流的实际方向 BJT结构特点： （1）发射区高掺杂； （2）基区很薄，掺杂浓度很低(几微米); （3）集电区面积很大. 管芯结构剖面图 发射区 基区 集电区 + －－是BJT具有电流放大作用的内部因素 BJT的放大偏置 1、什么叫放大偏置？ 放大偏置——“发射结正偏、集电结反偏” P N P b c e + - + - UBE UCE b c e iC ie ib + - + - UBE UCE b c e iC ie ib N P N b c e 2、放大偏置时BJT三个电极电位之间的关系： 识别管脚和判断管型的依据 —是BJT具有电流放大作用的外部因素 例 ：测得放大电路中的某只晶体管三个管脚对机壳的电压如图所示：试判断该管管脚对应的电极，该管的类型及材料。 0.1V 0.78V -11.5V 1、基极电位UB居中（可先识别基极）； 3、NPN管：UCUBUE； PNP管：UCUBUE； B C E 该管为PNP型硅管 2、发射结正偏压降: |UBE| = 0.7（0.6）V （硅管） |UBE| = 0.3（0.2）V （锗管） 可识别发射极（所剩者即为集电极）；并判断管子材料； 识别管子类型（NPN/PNP） 例 ：测得放大电路中的某只晶体管三个管脚对机壳的电压如图所示：试判断该管管脚对应的电极，该管的类型及材料。 1、基极电位UB居中（可识别基极）； 3、NPN管：UCUBUE； PNP管：UCUBUE； 2、发射结压降: |UBE| = 0.7（0.6）V （硅管） |UBE| = 0.3（0.2）V （锗管） 可识别发射极——集电极；判断管子的材料； 识别管子类型（NPN/PNP） 7.5V 3.9V 3.2V B C E NPN型硅管 1.3.2　三极管的电流放大作用　　　 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　若实现放大，必须从内部结构和外部所加电源的极性来保证 　不具备放大作用 三极管内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区很薄。且掺杂少。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结正偏，集电结反偏 3. 集电区面积大。 b e c Rc Rb 三极管中载流子运动过程 I E IB 　　1. 发射　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略) 　　2. 复合和扩散　电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流 Ibn，复合掉的空穴由 VBB 补充 　　多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。 b e c I E I B Rc Rb 　3. 收集　集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 Icn 其能量来自外接电源 VCC I C 　　另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。 ICBO b e c e Rc Rb 三极管的电流分配关系 IEp ICBO IE IC IB IEn IBn