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PECVD和AOE工艺与应用 李艳 中国科学院半导体研究所 2008年4月 主要内容 一、PECVD PECVD原理 SiO2常用工艺和应用 SiN和SiON常用工艺和应用 二、AOE （Advanced Oxide Etch ） ICP原理 STS AOE优点 典型工艺与应用 三、常见问题 PECVD原理 PECVD：等离子体增强化学气相淀积法，即Plasma- Enhanced Chemical Vapour Deposition。 CVD法是最常用的SiO2、SiN薄膜制备方法。它把含有 构成薄膜元素的气体供给衬底，利用加热、等离子体、 紫外光等能源，使气体发生化学反应淀积薄膜。 CVD法优点：薄膜方向性小，微观均匀性好；薄膜纯度 高，残余应力小。 其他常用CVD： 常压热化学气相淀积法(APCVD) 低压热化学气相淀积法(LPCVD) 光化学气相淀积法(PCVD)、热丝CVD法等 PECVD原理 反应原理 在射频电源产生的电磁场作用下，反应气体电离产生电 子。经过多次碰撞，产生大量光子、电子、带电离子或化 学性质活泼的活性基团(如SiO、SiH、NH等基团)，形成高 密度的等离子体。 活性基团在样品表面发生反应，形成薄膜。薄膜中可能 结合有一定量的Si-H、N-H等基团。尤其是氮化硅膜含有 Si N H 相当量的氢，记做 x y z ，可简写为SiN 。 等离子体 SiH +2N O ⎯⎯⎯⎯→SiO +2N ↑+2H ↑ 4 2 2 2 2 等离子体 SiH +NH ⎯⎯⎯⎯→Si N H +H ↑ 4 3 x y z 2 淀积和生长的比较 PECVD淀积SiO2 热氧生长 原理 气体反应形成薄膜 消耗Si形成SiO2 无定形膜 0.46 ：1 膜质量 较好 很好 温度 ＜380℃ 750℃~1100 ℃ 速度 快 慢 衬底 无限制 Si 效率 单片 可批量生产 缺点 损伤较大 温度、厚度限制 STS PECVD STS PECVD的显著优点： 厚度控制：从几十nm到6um 都可精确控制。 沉积速度快：16