一种CMOS工艺离子敏场效应型晶体管的模型.pdf

第34 卷 第4 期 电 子 器 件 Vol.34摇 No.4 2011年8 月 ChineseJournal of Electron Devices Aug. 2011 Model of CMOS Ion鄄Sensitive Field Effect Transistor* * WEI Mingfei ,YUJunqi,CHEN Dengfeng (School of Information and Control,Xi爷an University of Architecture and Technology,Xi爷an710055,China) Abstract:An ion鄄sensitivefieldeffecttransistor(ISFET)canbeachievedby CMOStechnology.If apolysiliconlayer is kept on the oxide layer of the gate and connected to an external metal layer as a floating gate,a floating gate ISFET can berealized.Basedonthe sensingmechanismof ISFET andthe site鄄bindingmodel,thephysical model of the floating gate ISFET isestablishedfrom HSPICE.The influence of the membrane resistance,capacitance and the line parasitic capacitance on the dynamic characteristics of delay time and hysteresis is investigated,its static char鄄 acteristics are also simulated and the results agree with experiments. Key words:ion鄄sensitive field effect transistor;device model;static characteristics;dynamic characteristics EEACC:TN432摇 摇 摇 摇 doi:10.3969/j.issn.1005-9490.2011.04.004 一种 CMOS工艺离子敏场效应型晶体管的模型* * 卫铭斐 ,于军琪,陈登峰 (西安建筑科技大学信息与控制学院,西安710055) 摘摇 要:采用CMOS工艺可以实现离子敏场效应型晶体管(ISFET),若在栅极氧化层之上保留多晶硅层,并通过引线使其与 外界的金属层相连作为悬浮的栅极,可实现悬浮栅结构ISFET。 从ISFET 的传感机理出发,根据表面基模型,利用HSPICE建 立了悬浮栅结构ISFET 的物理模型。 以该模型为研究对象,探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻 等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等因素的关系,并对其静态特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。 关键词:离子敏场效应晶体管;器件模型;静态特性;动态特性 中图分类号:TN432摇 摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 摇 文章编号:1005-9490(2011)04-0367-03 摇 摇 离子敏场效应晶体管(ISFET)自20世纪70年代 离子敏感膜,而没有标准MOSFET 器件栅极的多晶 问世以来,至今已发展成为一种具有强大生命力的电 硅层。 为了借助标准CMOS工艺实现ISFET 结构, 化学传感器,具有灵敏度高、响应快、检测时无须标记、 目前ISFET 器件已经可以采用悬浮栅结构(如图