大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ !! $$( !! ， ， ， )BO 2’’ B 2 !! BPM5QMR $$( （ ） !$$$,#4$D$$(D’’ !! D($4’,$( 9/69 -*:LN/9 LNN/9 $$( /@?F 2 -@SE 2 LBC 2 大尺寸化学 源金属诱导晶化 ! 多晶硅的研究! !） !） !） !） !） !） !） ） 赵淑云 吴春亚 刘召军 李学冬 王 中 孟志国 熊绍珍 张 芳 !）（南开大学光电子所，天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室， 教育部光电子信息科学与技术重点实验室，天津 #$$$%!） ）（科技部高技术研究发展中心，北京 !$$$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$’ ! ! $$( ’ 用无电电镀的化学方法，在)*+,-./)0 沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源，在’’$1 下退火若干小时， 可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒 用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面 非晶硅薄膜上形 2 2 成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、 值和无电电镀的时间等参量 当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现 3* 2 象2 用)*+,-./)0 非晶硅薄膜作为晶化前驱物，晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到4$ 5 2 用此多晶硅试制的 ! 6+6，获得了良好的器件特性2 关键词：金属诱导晶化，化学源，多晶硅，薄膜晶体管 ： ， ， ， #$%% %#($ %#($+ %#($7 %#($- 率快（可超过!F5D E ），而且氢含量少，比用射频等离 子增强化学气相沉积（ ）的要低 左 != 引 言 G+,-./)0 ’$ H 右，因此易于去氢2 采用化学法制备金属诱导晶化多晶硅的 源， ? 与物理气相沉积（ ）获得 源相比，无需抽真 试验内容 -)0 ? = 空、省却操作时间与真空设备的投资，因此具有速度 ［］