凯泰电子-MOS_肖特基产品的应用介绍.ppt

第四部分 MOSFET的动态参数 肖特基二极管的应用 EAS:单脉冲雪崩能量 计算公式为: 测试线路: Id的计算方法 第五部分ＭＯＳ各参数选择之原则及注意事项  ＭＯＳ各参数选择之原则及注意事项 1 .电压应力(V(BR)DSS )： ??? 在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即： VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS ??? 注：一般地， V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下 之 V(BR)DSS 值作为参考。 2. 漏极电流： ??? 其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ；漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的 90% 即： ID_max ≤ 90% * I D I D_pulse ≤ 90% * IDP ??? 注：一般地， ID_max 及 I D_pulse 具有负温度系数，故应取器件在最大结温条件下之 ID_max 及 I D_pulse 值作为参考。器件此参数的选择是极为不确定的—主要是受工作环境，散热技术，器件其它参数（如导通电阻，热阻等）等相互制约影响所致。最终的判定依据是结点温度（即如下第六条之“耗散功率约束”）。根据经验，在实际应用中规格书目中之 ID 会比实际最大工作电流大数倍，这是因为散耗功率及温升之限制约束。在初选计算时期还须根据下面第六条的散耗功率约束不断调整此参数。建议初选于 3~5 倍左右 ID = (3~5)*ID_max 3. 驱动要求： ??? MOSFEF 的驱动要求由其栅极总充电电量（ Qg ）参数决定。在满足其它参数要求的情况下，尽量选择 Qg 小者以便驱动电路的设计。驱动电压选择在保证远离最大栅源电压（ VGSS ）前提下使 Ron 尽量小的电压值（一般使用器件规格书中的建议值）。 4. 损耗及散热： ??? 小的 RDS(on) 值有利于减小导通期间损耗，小的 Rth 值可减小温度差（同样耗散功率条件下），故有利于散热。 5. 损耗功率初算： ??? MOSFET 损耗计算主要包含如下 7个部分： 总损耗PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs 导通损耗 Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don 截止损耗 Poff=VDS(off) × IDSS ×（ 1-Don ） 开启过程损耗 Poff_on=1/2 × VDS× Ip1 × (td(on)+tr) × fs 关断过程损耗 Poff_off=1/2 × VDS× Ip2 × (td(off)+tf) × fs 驱动损耗 Pgs= Vgs × Qg × fs 输出电容引起的损耗Pds=1/2 × VDS2 × Coss × fs 6.耗散功率约束： ??? 器件稳态损耗功率 PD,max 应以器件最大工作结温度限制作为考量依据。如能够预先知道器件工作环境温度，则可以按如下方法估算出最大的耗散功率： PDmax ≤ （ Tj,max - Tamb ） / R θj-a Thank you! * * MOSFET在各领域中的应用 MOSFET参数选择和注意事项 ——第六事业部 MOSFET产品部应部 第一部分 MOSFET原理介绍 MOSFET简介 MOSFET 是金属-氧化物-半导体场效应晶体管, 基本结构是用金属或多晶硅作控制栅极, 加上栅极电压来控制半导体沟道的电流大小, 在栅极和沟道之间用薄氧化层来绝缘. 因为是用电场控制, 所以不需注入输入电流, 只在瞬间对栅电容充电. MOS管的应用极为广泛，如电源、开关，信号放大等等，几乎无处不在。 MOSFET的分类 MOSFET根据导电沟道形成机理可分为：