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CVD操作规程开机前准备开抽风机，开冷却水，开尾气处理系统，确认报警器工作正常。抽风机开关在实验室进门处右手处，冷却水操作程序参照磁控溅射冷却水操作，尾气处理系统在冷却水旁边，报警器在CVD后面。抽风机开关、尾气处理系统操作面板及报警器如图1所示。图1. 尾气处理设备抽、风机开关及报警器尾气处理设备的开启顺序为电源→抽风机→喷淋→磁力泵。注意事项：尾气处理设备的磁力泵为变速泵，开启需要一定时间。在开启尾气处理设备前先观察水槽内水位，水位应在标记线处。检测N2、H2气压及气路阀门开关情况。为使实验顺利进行，必须保证气体足量,N2、H2压强监测器示数大于40个大气压。开纯化器上下阀门。注意事项：为保护纯化器装置，防止其它气体进入纯化器，纯化器阀门在实验结束时应该关闭。确认SiHCl3源温度。为使实验参数稳定，SiHCl3源温度应维持在25℃附近，必要时开空调调节源瓶温度。注意事项：在源瓶阀及NC1、NC2之间的sw1 及sw2的开关状态只对横向管道起作用，close代表横向管道关，open代表横向管道开，不影响竖直管道，如图2横向管道竖直管道图2. SW1、SW2位置开管道加热器（38℃）。确认放气阀关闭。放气阀及源瓶阀如图3所示。图3.放气阀（左）和SiHCl3源瓶阀开机及实验过程状态开机检测。开电源并进入气路界面，检查各气动阀及质量流量器（MFC）开关情况及工作状态。图4.气路流程界面排空腔室及管道。以机械泵、罗茨泵、蝶阀顺序打开各泵及阀门，排空管道及腔室内空气，直至压力不再下降为止，目前腔室内压强可下降至9mbar。对腔室进行充抽N2及H2，稀释管道及腔室内空气浓度。手动设置流量计流量MFC1=5SLPM、MFC2=20SLPM、MFC3=3SLPM、EPC=2.5bar。然后进入压力控制界面，设置N2抽充（3次，上限压力600mbar，下限压力10mbar），结束后H2抽充（2次，上限压力600mbar，下限10mbar）。 图5.压力控制界面充H2。开NC7、NC8、NC1，调节MFC1（1 SLPM）、MFC2（1 SLPM）、MFC3及EPC设置到实验所需值。开加热炉加热。设置主炉、辅炉、壁炉温度，调节功率缓慢升温，当温度不变时，维持30min后开始实验，使腔室内温场稳定。注意事项：为使腔室内温场稳定，当温度不变时，应将MFC1、MFC2调节到实验所需值，然后维持30min。图6.CVD主界面生长过程。主、辅炉温度稳定时，先开SiHCl3的手动阀，计下气瓶温度值，然后调节EPC为所需值，关闭NO1，开NC3、NC4， 当EPC达到设置值时，开始计时。如果需要掺杂，打开B2H6及PH3手动阀。注意事项：开源瓶时，特别是B2H6及PH3时，要摒住呼吸，开完后迅速关闭柜橱。关机停止SiHCl3供给。反应结束后，关闭NC3、NC4，打开NO1，关闭源瓶手动阀。注意事项：关闭NC3、NC4，打开NO1后，管道内还有部分SiHCl3气体，应再持续10min再降温。降温过程。降低壁炉加热的控制上限，由60%50%40%……缓慢降温。当温度降低到200以下可以关闭壁炉加热及加热炉。取样。取样品时，要用N2抽充三遍再开启炉门。关闭管道加热。关闭H2进气阀NC1，关闭NC7、NC8。关闭蝶阀、罗茨泵、机械泵。