chap1-2012高等半导体物理.ppt

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chap1-2012高等半导体物理

晶体中的电子波函数 要计算: 结果得到: 下面我们讨论如何求得上面这个矩阵: 附: 推导过程 表明同一原子的两个紧束缚基函数间的H矩阵元,只当属于同一轨道时才不为零。且矩阵元的本征值就是对应轨道能量本征值。 (2)正交平面波方法 两点基本假设: 变分原理:系统中能量高的状态的本征函数必须与所有比它能量低的状态的本征函数正交。 由于晶体中核心态之间的相互作用可以忽略,因此认为在晶体中的核心态与孤立原子中的核心态是一样的。 因为晶体中较高能量的电子态(包括导带和价带)必须与低能量的核心态正交,因此在选择基函数的时候,用一个与核心态正交的平面波来代替原来的一般平面波,这就是正交平面波方法。 这个新的基函数定义为: 新的基函数 新的基函数 待定 新的基函数 因此,系统的电子波函数可用正交平面波展开: 用新的基函数展开 能量可由下式求得: H=H0+V + 基函数为平面波 赝势下的赝波函数与真实势下的布洛赫波函数具有完全相同的能量本征值。固体能带论主要关心的是导带或价带电子的能带结构,而不是波函数本身。如果我们可以选择适当的赝势,则可以比较容易地求解出基本真实的能谱。 另外, 利用赝势方法算出的赝波函数,除了紧靠原子核处与真实波函数不符之外,其他大部分区域,与真实波函数还是符合得很好的。 2)为什么引进赝势以后用较少的展开项就收敛? 这是因为能带波函数要求正交于内层电子波函数,这相当于一种排斥作用。这种排斥作用部分抵消了靠近原子核处的强吸引(称为抵消现象),而使等效的赝势在靠近原子核处变得更为平坦。 与此对应, 赝波函数在原子核附近没有快振荡的大动量部分,因此也较为平坦,可用少数几项平面波展开即可。 3)赝势的引入具有任意性 我们的目的在于选取一个最好的赝势,它在靠近原子核处尽可能平坦而浅,在两原子之间趋近真实势。这样用较少的展开项就可以求得好的结果。 普遍意义的赝势概念即:在原子内部用一个假想的势代替真正的原子势能,对求解原子间空间的薛定谔方程来讲,若不改变其本征值与本征函数,则这个势为赝势。 正交化平面波所对应的赝势只是赝势的一种。 又论“赝势” 就是把离子实的内部势能用假想的势能取代真实的势能,但在求解波动方程时,不改变能量本征值和离子实之间区域的波函数。在离子实之间的区域真实的势和赝势给出同样的波函数。 元素的价电子决定着在材料的特性,在原子结合成固体的过程中,价电子的运动状态发生了很大变化,内层电子则不然。价电子参与了电荷转移与成键,因此希望解波函数的部分,只处理价电子就好,而将内层电子简单地视为与孤立原子的内层电子相同。 固体价电子波函数在离子实之间的区域变化平缓,与自由电子的平面波相近;离子实内部的区域,波函数变化剧烈,存在很多节点,这是因为需要使价电子与内层电子波函数正交,径向函数乘积积分为零,因而离子实内部出现节点使一部分区域为正,一部分为负。 “赝势”顾名思义,是一种假的位势,但概括了离子实的吸引作用和波函数的正交要求,这二者相互抵消,赝势总是使离子实内部的电子波函数尽可能的平坦。 最简单的模型可以是取距原子中心r处为划分点,大于r的区域波函数完全一样保留,而r以内则对波函数加以改造。主要是要把振荡剧烈的波函数改造以变化缓慢的波函数,而且没有节点,少了剧烈振荡。这样选择参量r,就可以使模型与真实结果相符合。 又论“赝势” 对于硅,有: § 3 紧束缚近似或原子轨道线性组合近似(LCAO) LCAO方法是讨论固体能带和波函数的最早方法之一。近年来该方法有了很大的发展,并广泛用于定量计算具体的晶体能带结构。该方法简单明了,与孤立原子状态的对应关系明确。它形象地阐明了孤立原子对应的能级,在原子相互靠近形成晶体时展宽成能带。下面给出该方法的要点。 对同一格点上不同原子轨道是正交的。不同格点上原子轨道一般不正交,但可采取所谓的Lowdin变换方法把它们重新组合成8个新的轨道,仍具有s和p对称性且相互正交。 附:对于8个基函数的解释 对于内层电子,能带宽度较小,能级与能带之间有简单的一一对应;外层电子,能带较宽,能级与能带之间的对应变得比较复杂。这时可以认为主要由几个能级相近的原子态相互组合而形成能带,而略去了其他较多原子态的影响。例如:只计入同一主量子数中的s态与p态之间的相互作用,先把各原子态组成布洛赫和。对于硅,每个原胞有2个原子,3s和3p轨道相互杂化,所以至少需要8个布洛赫和: 近自由电子近似 作业3:推导出该过程。 作业4:证明 紧束缚近似下,只考虑最近邻的交叠,得: 黄昆 《固体物理学》P189 特别值得注意,带宽决定于J1,而J1的大小主要决定于近邻原子波函数之间的相互重叠。重叠愈多,形成的能带也就愈宽。 *孤立原子能级与能带的形成 (1)当原子相互接近组成晶

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