IC封装基板超高精细线路制造工艺进展.docx

IC 封装基板超高精细线路制造工艺进展周文木，徐杰栋，吴梅珠，吴小龙，刘秋华（江南计算技术研究所，江苏 无锡 214083）摘要: 概述了目前超高精细线路制作的减成法、加成法、半加成法。针对减成法在倒装芯片球栅阵列封装和倒 装芯片级封装积层精细线路制造中存在的缺点，重点介绍了超高精细线路半加成及改进的半加成工艺，并从精细线 路制造角度分析了曝光、快速蚀刻等关键流程，展望了后续超高精细线路半加成工艺的发展方向。关键词:IC封装基板；超高精细线路；综述；半加成法；图形转移；曝光；快速蚀刻doi: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.02.002中图分类号:TN454文献标识码:A文章编号:1001-2028（2014）02-0006-04DevelopofmanufacturetechniquesofICpackagesubstrateultra-finelinesZHOUWenmu,XU Jiedong,WU Meizhu,WU Xiaolong, LIU Qiuhua(Institute ofJiangnan CalculationTechnology,Wuxi 214083, Jiangsu Province,China)Abstract:Conventionalsubtractiveprocess，additiveprocessandsemi-additiveprocessareintroducedcontrastively.FortheunavoidabledisadvantagesofsubtractiveprocessinmanufacturingfinelinesofFlip-ChipBGAandFlip-ChipCSP, thesemi-additiveprocessand a modifiedversionsofthesemi-additiveprocessareexpound.Key processesofsemi-additive process,suchasexposure,flashetching,etc.arealsoanalyzed.Futuretrendofultra-finelinesdevelopmentisalsocovered in theend.Key words: IC package substrate; ultra-fine lines; review; semi-additive process; pattern transfer; exposure; flash etching随着IC 封装技术的发展，I/O数量增多、布线密度增大、基板层数增多，使得传统的四边引角扁 平封装（QuadFlatPackage，QFP）等封装形式在其 发展上有所限制，20 世纪90 年代中期以球栅阵列封装（BallGridArray，BGA）、芯片级封装（Chip Scale Package，CSP）为代表的新型IC 封装形式问世，解 决了封装引脚共面度、脚距过细和面积过大等问题，随之也产生了一种半导体芯片封装的必要新载体， 这就是IC 封装基板（IC PackageSubstrate)，又称IC 封装载板。封装基板的发展经历了20世纪90年代日本独 占市场的初期阶段，2000~2003年中国台湾、韩国与日本“三足鼎立”快速发展阶段，2004 年以后的FC(Flip chip)封装高速发展三个阶段。IC 设计趋势大致朝着高集成化、快速化、多功 能化、低耗能化及高频化发展，对应的IC 封装基板呈现出“四高一低”的发展趋势，即高密度布线、高速化和高频化、高导通性、高绝缘可靠性、低成 本性。IC 封装基板层间互联、积层精细线路制作方 法是从高密度互联/积层多层板（High Density Interconnection/Buildup Multilayer，HDI/BUM）衍生 而来，HDI/BUM 板制造工艺技术种类繁多，通过可生产性、可靠性和成本等各方面的优胜劣汰和市场 选择，目前比较成熟的工艺集中在3~5 种[1]。依据积层图形制作方法主要分为减成法（Subtractive，在敷铜板上，通过光化学法，网印图形转移或电镀图形抗蚀层，然后蚀刻掉非图形部分的铜箔或采用机械方式去除不需要部分而制成印制电路板 PCB）、加成法（Additive，在绝缘基材表面上，有选择性地沉积导电金属而形成导电图形的方 法）、半加成法（Semi-AdditiveProcess，SAP，利用图形电镀增加精细线路的厚度，而未电镀加厚非线收稿日期：2013-11-28通讯作者：周文木 基金项目：国家科技重大专项课题资助项目（No.2011ZX02709-002）作者简介：周文木（1985－），男，