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培训内容 PECVD原理与工艺介绍 PECVD工序操作培训 晶圆不作为电极的一部分。 典型代表：Roth Rau。 3 PECVD工序介绍 3. 2 光的基本理论 3.5.2 热生长氮化硅颜色图，n＝1.97 3.10尾气处理 尾气中含有SiH4，低浓度时在空气中氧化生成SiO2粉末；在1% 以上浓度时有自然燃烧的危险性，稀释的H也有可燃性，最佳对策是用氮气稀释到燃烧浓度以下在放出。 另一作法是充入足够的空气，使之自然燃烧。但須注意空气对流量必须充分。且排气仍具有毒性，故气体配管要具有耐腐蚀性、不燃性、不漏性，以不锈钢管最适用。 PECVD工序操作培训 主要内容 1.作业前准备工作 2.工作流程 3.自检过程 4.异常处理 5.注意事项 1 作业前准备工作 工具、仪器： 确认镀膜设备、真空吸笔、载板，工作台完好、到位。 劳保用品： 穿戴好净化分体服、一次性手套、一次性口罩、帽子、净 化鞋。 外围条件： 确认设备控制柜的电源指示灯“亮”，通电正常。 确认冷却水流量、水压是否正常。 确认环境温度、湿度。 2.1开启工艺流程 开机： 打开设备电源，再打开PC机，单击桌面的SINA图标，运行SINA软件。 设备确认： 检查设备和PC上是否有故障显示（红色灯或/红色点）。 确认设备运行正常方可执行后续作业。 若设备有故障显示，应立即汇报班长。 Recipe工艺配方确认： 进入“工艺腔室”?“工艺配方”，检查各工艺参数是否正确。若设置有误，工序长应立即报告值班工程师，重新设置好参数后方可执行后续作业。 2.1开启工艺流程 选择工艺 在process里点击“控制”按钮，然后在下拉菜单里选择设定的工艺。 启动工艺 点“加载”按钮，加载工艺，之后点击“启动”按钮，启动工艺。 启动传输 点击下面“传输”里面的“启动”，启动传送带系统。 空运行载板 硅烷和氨气通入工艺腔，工艺压强稳定并产生等离子体后，把载板放入设备中空运行两次，以消除载板上附着的水分和空气杂质。 注意：以上作业由工序长执行！ 2.2生产操作流程 硅片准备 1.双手拿起硅片盒，轻放于净化存储柜里面，硅片盒开口面朝上；同时目视检查硅片是否有破片、崩边、缺角、外观不良等缺陷，如果有上述缺陷，则把整盒硅片退回上工序。 2.双手拿起存储柜里面的硅片盒，并轻放与工作台上。要求片盒大面（附图）朝下，小面朝上， 即硅片P型面向上，N型面向下。 2.2生产操作流程 装片 两操作人员分别站于上料台两边，用真空吸笔把硅片依次放入位于上料台的载板里，硅片用挂钩挂住，N型面朝下、P型面向上。 2.2生产操作流程 进板 按传送带控制器上的“进板请求”按钮，把装满硅片的载板送入设备。 2.2生产操作流程 卸片 1.两操作人员分别站于下料台两边，待载板从设备出来、停止在下料台上后，用真空吸笔把镀好膜的硅片吸出，并轻放入塑料承载盒。 2.把所有硅片卸下之后，操作人员戴好防护手套，把空载板小心搬运并放置于上料工作台上。 2.3关闭设备流程 关机 确定工艺腔内没有载板方可关机，否则禁止进行关机操作。在control中，先点击transport stop,再点击工艺参数的stop。 关闭加热器。 关闭所有泵。 点击主界面中service中的switch off关闭程序。 关闭电脑。 待排风扇完全停止后（约2小时），即可关闭电源。 注：该作业由组长执行！ 3.1自检 颜色检验： 每石墨框随机目视检查2-4片，要求硅片颜色为深蓝色，没有出现明显的色斑、水斑、不均匀、色差。 破片检验： 检查是否有硅片裂片、明显裂纹、崩边、缺角。 膜厚、折射率测量： 每隔1小时，在石墨框的左、中、右位置随机抽取5片硅片测试膜厚和折射率。要求单晶硅片膜厚为76±5nm，折射率2.1±0.1；多晶硅片膜厚82±4nm，折射率2.1±0.1。 每次测量的数据需记录在《膜厚和折射率记录表》内。 3.2SPC控制 膜厚、折射率SPC控制 根据膜厚和折射率分别做SPC控制图，具体方法： 1.每小时测试5片硅片的膜厚和折射率平均值作为一组记录数据（返工范围内异常数据需剔除）。 2.每次计算出总平均值和极差平均值作为制定下次SPC管制图界限的依据。 若SPC曲线异常，则立即通知值班工程师。 3.3膜厚控制 镀膜厚度控制办法 若厚度小于75nm，降低带速（1-3cm/min）；若厚度大于78nm，则提高带