DHFC-1多功能薄膜特性测试系统使用说明书.docVIP

概述 DHFC-1型功能薄膜特性测试仪由四探针测试仪和非晶硅薄膜电导率测量仪组成的多用途综合测量装置。 四探针测试仪是运用四探针测量原理，它可以测量片状、块状半导体材料的径向和轴向电阻率，测量扩散层的薄层电阻（亦称方块电阻）、功能材料暗电导和光电导及温度的变化的特性，还可以对金属导体的低、中值电阻进行测量。 四探针测试仪由主机、测试架等部分组成，测试结果由数字表头直接显示。主机主要由高灵敏度直流数字电压表和高稳定度恒流源组成。测试探头采用宝石导向轴套和高耐磨碳化钨探针制成，故定位准确、游移率小、寿命长。 非晶硅薄膜电导率测量仪由样品室、温控系统、真空系统、高阻测量系统等部分组成。 仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、测量范围宽、结构紧凑、使用方便等特点。仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能的测试 二、技术参数 四探针测试仪： 1、测量范围： 电阻率：0.001～200Ω.cm； 方块电阻：0.01～2000Ω/□； 电导率：0.005～1000 s/cm； 电阻：0.001～200Ω.cm； 2、可测晶片直径：?200mmX200mm 3、探针间距：1±0.01mm； 针间绝缘电阻：≥1000MΩ； 机械游移率：≤0.3%；探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm；探针压力：5～16 牛顿(总力)； 4、恒流源: 电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档,各档电流连续可调。 误差±0.5% 5、数字电压表: 量程：0-199.99mV; 分辨率:10μV 输入阻抗1000MΩ： 精度:±0.1%。 非晶硅薄膜电导率测量仪： 1、本底真空度：≤10Pa 2、气压可控范围：10～400Pa 3、衬底加热温度：室温～200℃ 4、指针式高阻计： 电阻测量范围：1×106～1×1017Ω 精度：±10% 微电流测试：1×10-5～1×10-14A 精度：±20% 额定电压：10、100、250、500、1000V 精度： ±5% 三、工作原理 测试原理：直流四探针法测试原理简介如下： 图1、四探针法测量原理图 1、体电阻率测量： 当1、2、3、4四根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体材料上，在1、4两处探针间通过电流I，则2、3探针间产生电位差V。 材料电阻率： 1—1 探针系数： 1—2 式中：S1、S2、S3分别为探针 1 与 2，2 与 3，3 与 4 之间的距离，S1=S2=S3=1mm，每个探头都有自己的系数。C≈6.28±0.05，单位为cm。 若电流取I=C 时，则ρ＝V，可由数字电压表直接读出。 块状和棒状样品体电阻率测量： 由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，合乎于半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由（1—1）式求出。 （b）簿片电阻率测量 簿片样品因为其厚度与探针间距比较，不能忽略，测量时要提供样品的厚度形状和测量位置的修正系数。 电阻率值可由下面公式得出： 1—3 式中：：为块状体电阻率测量值； ：为样品厚度（um）； ： 为探针间距（mm）； ：为样品厚度修正函数，可由附录1A或附录1B查得； ：为样品形状和测量位置的修正函数，可由附录2查得。 当圆形硅片的厚度满足＜0.5时，电阻率为： 1—4 式中 Ln2 为 2 的自然对数。 当忽略探针几何修正系数时，即认为 C=2πS 时： 1—5 2、扩散层的方块电阻测量 当半导体薄层尺寸满足于半无限大时： 1—6 若取I ＝ 4.53I0，I0为该电流量程满度值，则R0值可由数字表中直接读出的数乘上10后得到。 四、结构特征 DHFC-1型功能薄膜特性测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。????仪器由主机、测试台、四探针探头、等部分组成，测量数据既可由主机直接显示。 仪器主体部分由高灵敏度直流数字电压表（由调制式高灵敏直流电压放大器、双积分 A/D 变换器、计数器、显示器组成）、恒流源、电源、DC-DC 变换器组成。为了扩大仪器功能及方便使用，还设立了单位、小数点自动显示电路、电流调节电路。 仪器+12V 电源经过 DC-DC 变换器，由恒流源电路产生一个高稳定度恒定直流电流，其量程分别为100μA、1mA、10mA、100 mA 五档。在各档电流量 程中，输出电流值均连续可调。此恒定电流输送到