地址数据复用型Flash存储器测试技术研究.doc

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地址数据复用型Flash存储器测试技术研究

地址数据复用型Flash存储器测试技术研究 王续朝 (北京自动测试技术研究所,北京 100088) 摘要:随着半导体技术的迅猛发展,移动存储设备快速增长。Flash芯片作为移动存储设备中最常用的器 件,得到了日趋广泛的应用,对Flash芯片的测试要求也越来越高。地址数据复用型Flash存储器测试技术 研究及电路设计,设计改善大规模数字集成电路测试系统数字系统算法图形功能。对K9F2G08R0A进行 了测试并通过对数字系统算法图形功能进行改善,算法图形发生器由多个算术逻辑单元、多路选择器以 及操作寄存器组成,可以实现复杂的逻辑操作和算术运算,可以更快、更简便地 对地址复用型Flash存储 器进行测试,减少测试程序开发难度。 关键词:存储器测试;Flash;测试方法 中图分类号: TN40 文献标识码: A Address data type Flash memory multiplexing testing technology research Wang Xuchao (Beijing Automatic Test Institute,100088 Beijing) Abstract: With the rapid development of semiconductor technology, the mobile storage equipment increase quickly. As a common mobile storage equipment,the Flash chips are used widely and the testing technical requirements of Flash chips is also became higher. The testing technology research and the circuit design of Address data type Flash memory multiplexing, which main is to design and improve the digital system algorithm graphics functions of the mass digital integrated circuit testing system functions. Therefore, K9F2G08R0A is to be tested througth improved the functions of digital system algorithm graphics. The Algorithm graphics generator is consists of more arithmetic logic units, multiplexers and operation registers. So that the Address data type Flash multiplexing memory can be tested fastly and simply, and the exploitation dificulties of test program will be overcomed. Keywords: memory test;Flash;test method 17 0 引言 1 Nand-Flash存储器的工作原理 1.1 Nand-Flash存储器的组成结构及指令集 K9F2G08R0A 的 容 量 为 256M×8 Bit, 存 储 空间按 128K 个页 ( 行 )、每页中 2K+64 个字节 ( 列 ) 的 组 成 方 式 构 成, 备 用 的 64 列。K9F2G08R0A 还将存储空间分为块 (block),每 1 块由 64 个页 构 成。 因 此 K9F2G08R0A 中 一 共 有 2,048 个 块。 这种“块 - 页”结构,恰好能满足文件系统中划 分簇和扇区的结构要求。K9F2G08R0A 的内部结 构如图 1 所示。 随着当前移动存储技术的快速发展和移动存 储市场的高速扩大,Flash 型存储器的用量迅速增 长。Flash 芯片由于其便携、可靠、成本低等优 点,在移动产品中非常适用。市场的需求催生了 一大批 Flash 芯片研发、生产、应用企业。为保 证芯片长期可靠的工作,这些企业需要在产品出 厂前对 Flash 存储器进行高速和细致地测试,因此, 高效 Flash 存储器测试算法的研究就显得十分必要。 本 文 以 三 星 公 司 的 K9F2G08R0A 芯 片 为 例, 介绍 Nand-flash

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