[理学]半导体物理学复习讲义 引论第三章.ppt

沿[111]方向 沿[110]方向 沿[100]方向 如果B沿任意方向，则可得到3个有效质量 二、 价带结构 - ：重空穴 +：轻空穴 分裂空穴 硅的能带结构 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 主要内容 2.0 缺陷简介 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.2 III-V族化合物中的杂质能级 2.3 氮化镓、氮化铝、氮化硅中的杂质能级 2.4 缺陷、位错能级 2.0 缺陷简介 实际半导体晶体晶格复杂： 原子在其平衡位置附近振动，而不是静止在格点上 半导体材料中含有杂质原子 晶体在形成过程中受到影响，晶格不完整 缺陷 缺陷分类 零维（点）缺陷：点阵空位、填隙原子、替代原子…… 一维（线）缺陷：点缺陷链、位错 二维（面）缺陷：晶体表面、堆垛层错、畴壁…… 三维（体）缺陷：空洞、夹杂物、沉淀…… 零维（点）缺陷 点阵空位 填隙原子 替代原子 一维（线）缺陷 点缺陷链 位错 刃型位错 螺形位错 二维（面）缺陷 晶体表面 堆垛层错 畴壁 半导体中缺陷的重要性 破坏晶格的周期性势场 在禁带中引入能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 金刚石晶体中： 原子所占体积34% 空隙所占体积66% 四面体间隙 六角形间隙 A-间隙式杂质：原子半径比较小 B-替代式杂质：原子大小与被取代原子大小相接近 杂质浓度：单位体积中杂质原子数 施主杂质 V族元素P在Si中成为替位式杂质 释放电子产生导电电子并形成正电中心 束缚态—离化态 施主杂质（n型杂质） 键外电子 比成键电子自由 与导带电子不同，受到P+的库仑作用 施主能级 注意点： 杂质能级用短线表示 分立能级 局域态 未形成能带 受主杂质 III族元素B在Si中成为替位式杂质 接受电子产生导电空穴并形成负电中心 束缚态—离化态 受主杂质（P型杂质） 空位 能量比价带顶高 受到B+的库仑作用 受主能级 注意点： 杂质能级用短线表示 分立能级 局域态 未形成能带 根据载流子类型分类半导体 n型半导体 p型半导体 本征半导体 杂质补偿作用 有效施主浓度 有效受主浓度 有效掺杂浓度 2.4 缺陷、位错能级 点缺陷： 杂质原子 热缺陷 Frankel缺陷 Schottky缺陷 特点： 两种缺陷同时存在 Schottky缺陷较多 空位：不饱和键，倾向于接受电子 间隙原子：4个多余价电子 受主 施主 第三章 半导体中载流子的统计分布 主要内容 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.6 简并半导体 3.7 电子占据杂质能级的概率 半导体中的载流子 电离（跃迁） 复合 产生载流子 载流子消失 在一定情况下，载流子数量不再变化 这种平衡状态受温度的影响发生移动 需要解决的两个问题： 允许的量子态按能量如何分布 电子在允许的量子态中如何分布 3.1 状态密度 三维情况下的自由电子气 通解： 满足周期性条件，必有 K不包含自旋 三维情况下的自由电子气 K空间中最小允许体积元： 考虑自旋，k空间态密度： 1. 恒量 2. V为正空间体积 状态密度定义 单位能量间隔内的状态数目： 考虑自旋，k空间态密度： 能量空间状态密度 E-k 关系 能量变化 dE k状态变化 dk k空间体积变化 dΩ 状态数变化 dZ 球形等能面状态密度求解 导带E- k关系： 等能面方程： 球体体积： 状态数： 导带中状态密度 球形等能面状态密度求解 价带E- k关系： 价带中状态密度 特点： 状态密度与能量呈抛物线关系 有效质量越大，状态密度也越大 仅适用于能带极值附近 椭球形等能面状态密度求解 导带E- k关系： 标准椭圆方程： 一定要标准椭圆方程 椭圆半轴： 椭圆体积： 能量变化引起体积变化： 状态密度： 状态密度汇总 一维 三维 二维 E-k 关系： 体积： 状态密度： 状态密度汇总 3.2 费米能级和载流子的统计分布 费米分布：能级 E 被占据的概率 两种粒子： 费米子 玻色子 服从泡利不相容原理，粒子之间各不相同 允许全同粒子的存在 电子 1500 K 1000 K 300 K 0 K 3.2 费米能级和载流子的统计分布 EF： 标志了电子填充水平 数值为0K下的最高占据能级的能量 玻尔兹曼分布 空穴的分布规律 占据能级的必为电子或空穴两者之一 电子费米分布 空穴费米分布 * * 本课程涉及的能带图汇总： 半导体能级结构 杂质能级 ＰＮ结能级：平衡态，外加电压 金属半导体接触能级 ＭＩＳ结构能级 异质结能级 能级图画图步骤： 判断Ef高低 功函数，半导体类型 判断电子或空穴流向 电子向下运动，空穴向上运动 电子逆着电力线，空穴顺着电力线 根据载流子变化判断能级弯曲方向 电子浓度越高，导