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模块二:电池材料生产工艺
模块二、电池材料生产工艺 学习情境1 多晶硅生产工艺 多晶硅概述 微电子大厦的基石! 太阳电池重心已由单晶转向多晶: 用于太阳能电池的头尾料越来越少; 多晶的方形基片更合算; 多晶硅生产工艺不断取得进步,可生产200kg以上的硅锭,晶粒尺寸达到厘米级; 近十年的单晶工艺的研究成果应用于多晶电池的生产; 多晶硅与单晶硅的差异 物理性质方面: 力学性质、光学性质、热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显; 电学性质方面: 几乎没有导电性; 化学活性方面: 两者差异极小; 多晶硅分类 冶金级(金属级MG):含硅90%以上,有的高达99.8%以上;技术含量低,取材方便,产能处于过剩状态; 太阳能级SG:含硅在99.99%~99.9999%,通常说的多晶硅多是指太阳能和IC级多晶硅(人民币约3000元/kg); 电子级(半导体级):含硅在99.9999%以上,超高的纯度可达到99.9999999%~99.999999999%; 多晶硅生产工艺 改良西门子工艺 原材料:石英砂 冶金级多晶硅 设备组成构造: 氯化氢合成炉 三氯氢硅沸腾床 三氯化硅水解凝胶处理系统 三氯氢硅粗馏、精馏塔 硅棒切断机 腐蚀、清洗、干燥、包装系统、尾气回收 工艺过程 石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅; SiO2 + C Si + CO2 硅的氯化,进行提纯; Si + HCl SiHCl3 + H2 SiHCl3 提纯:精馏法(多级精馏) 三氯氢硅还原: SiHCl3 + H2 Si + HCl 硅烷法生产工艺 原理:利用硅烷(SiH4)的热分解反应制备高纯多晶硅; 硅化镁酸解法 2Mg + Si MgSi2 MgSi2 + NH4Cl SiH4 +MgCl2 SiH4提纯:精馏法 SiH4 Si + 2H2 新硅烷法(无氯工艺) 美国MEMC公司开发 原料:铝氢化纳、四氟化硅 NaAlH4 + SiF4 SiH4 + NaF4 + NaAlF 优势: 采用闭环生产,不对环境造成污染; 生产中不产生四氟化硅,并采取三种回收工艺,将副产物进行回收,用作原料进行再生产; 综合能耗可降低38%,成本大大降低! 多晶硅制造的高能耗 即使使用改良西门子工艺,其能耗也在120kW·h/kg以上; 国内部分厂家使用该工艺其能耗达到300kW·h/kg; 新硅烷法目前使用西门子反应器,但其能耗可低到75kW·h/kg; 新硅烷法工艺生产的多晶硅在电阻率、少子寿命和金属含量等指标都优于改良西门子工艺,产品纯度远远超出了光伏产品要求; 太阳能级多晶硅新工艺技术 冶金法生产太阳能级多晶硅 原材料:纯度较高的工业硅(冶金级硅) 工艺原理: 将冶金硅进行水平区熔单向凝固成硅锭; 去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分; 进行粗萃取与清洗; 在等离子体溶解炉内去除硼杂质,进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭; 去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分; 多晶硅生产设备 氢气制备装置 原理:高纯水电解制氢 设备组成构造: 水电解槽 氢(氧)气液分离槽 氢(氧)气冷却器 氢(氧)气洗涤器 制备工艺流程 纯水制备装置制备纯水 纯水送入原料水箱 经补水泵输入碱夜系统,补充被电解消耗的水; 电解槽中的水,在直流电作用下被分解为H2与O2; 经氢、氧分离洗涤器后进行气液分离、洗涤和冷却; 分离后的电解液与补充的纯水混合,循环送回电解槽再次进行电解; 分离出的氢气由调节阀控制输出,送入氢气储罐; HCl合成装置 水套式石墨氯化氢合成炉 铜壳 石墨炉盖 合成筒 炉底 与高温HCl气体接触的零部件 由浸渍石墨或石英制成; 三氯氢硅合成炉 组成构造及原料: 硅粉(通过管道输送至硅粉仓) HCl(通过管道输送与硅粉混合) 生成三氯氢硅和四氯化硅 生成物气体经沉降器、旋风分离器和袋式过滤器除去粉尘及高氯硅烷; 水冷后经隔膜压缩机加压,用-35℃冷媒冷凝为液体; 非冷凝气体通过液封罐进入尾气淋洗塔,经酸碱淋洗达标后排放; 精馏塔 作用:用于三氯氢硅的提纯,去除磷、氯、铝等杂质; Ⅰ级精馏塔 Ⅱ级精馏塔 原理: 利用杂质的沸点 不同而将杂质挥发 去除; 还原炉 改良西门子工艺核心设备 组成构造:炉筒、基座、电源系统、控制系统 原理:高纯三氯氢硅经气化器气化后与氢气混合
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