EDA技术与数字系统设计第5章_可编程逻辑器件教材教学课件.ppt

第5章 可编程逻辑器件 ;5.1 可编程逻辑器件的基本结构及分类; 5.1.2 基本结构及分类 1. 基本结构 PLD的基本结构如图5.1所示。电路的主体是由门构成的与阵列和或阵列，逻辑函数要靠它们实现。为了适应各种输入情况，与阵列的每个输入端都有输入缓冲电路，从而使输入信号具有足够的驱动能力，并产生原变量(A)和反变量()两个互补的信息。 ;图5.1 PLD的基本结构框图; 2. ?PLD器件的分类 1) 按可编程的部位分类 如图5.1所示，在PLD的各个方框中，通常只有部分可以编程或组态。根据它们的可编程情况，一般分为以下几类： (1) 可编程只读存储器PROM(Programmable Read-Only Memory)：?PROM的基本结构包括一个固定的与阵列，其输出加到一个可编程的或阵列上。PROM大多用来存储计算机程序和数据，此时固定的输入用作存储器地址，输出是存储器单元的内容，如图5.2所示。 ; (2) 可编程逻辑阵列PLA(Programmable Logic Array)：?PLA是由可编程的与阵列和可编程的或阵列构成的，在实现逻辑函数时有极大的灵活性，但是这种结构编程困难，且造价昂贵，如图5.3所示。 ;图5.2 PROM的阵列结构 ;图5.3 PLA的阵列结构; (3) 可编程阵列逻辑PAL(Programmable Array Logic)：?PAL器件结合了PLA的灵活性及PROM的廉价和易于编程的特点。其基本结构包括一个可编程的与阵列和一个固定的或阵列，其阵列结构如图5.4所示。 ;图5.4 PAL(GAL)的阵列结构 ;图5.5 熔丝编程PROM示意图 ; 图5.6 PN结击穿法PROM ; 第三类编程方式称为可擦除PROM，简称EPROM(Erasable Programmable ROM)，其编程“熔丝”是一只浮栅雪崩注入型MOS管，其结构如图5.7所示。编程时，在G2栅上注入电子来提高MOS的开启电压，从而达到编程的目的。 ;图5.7 EPROM的“熔丝”结构 (a) 结构图；(b) 逻辑符号；(c)? EPROM的外形图; EPROM器件的上方有一个石英窗(如图5.7(c)所示)，就是为擦去编程信息而设置的。擦除时将器件放在紫外线处照射20 min即可。正常运用时，应用黑色胶纸将其封住。 另一种可擦除的PROM器件称为EEPROM或称E2PROM，它是一种电擦除的可编程器件，其编程“熔丝”与EPROM结构相仿。 还有一种快闪存储器(Flash memory)，它是采用一种类似于EPROM的单管浮栅结构的存储单元，制成了新一代用电信号擦除的可编程ROM。 ;图5.8 SRAM的基本存储单元结构; 综上所述，ROM的编程方法是按掩膜ROM→PROM→EPROM→E2PROM次序发展的。通常把一次性编程的(如PROM)称为第一代PLD，把紫外光擦除的(如EPROM)称为第二代PLD，把电擦除的(如E2PROM)称为第三代PLD。 第二代、第三代PLD器件的编程都是在编程器上进行的。在系统编程(ISP)器件的编程工作可以不用编程器而直接在目标系统或线路板上进行，因而称第四代PLD器件。 ; 3) 按集成密度分类 按集成密度分类，PLD可分为低密度可编程逻辑器件(LDPLD)和高密度可编程逻辑器件(HDPLD)。历史上，GAL22V10是低密度PLD和高密度PLD的分水岭，一般也按照GAL22V10芯片的容量区分为LDPLD和HDPLD。GAL22V10的集成密度根据制造商的不同，大致在500～750门之间。如果按照这个标准，PROM、PLA、PAL和GAL器件均属于低密度可编程逻辑器件(LDPID)，而EPLD、CPLD和FPGA则属于高密度可编程逻辑器件(HDPLD)，如图5.9所示。 ;图5.9 可编程逻辑器件的密度分类; (1) 低密度可编程逻辑器件(LDPLD)：低密度可编程逻辑器件包括PROM、PLA、PAL和GAL四种器件。 (2) 高密度可编程逻辑器件(HDPLD)：高密度可编程逻辑器件包括EPLD、CPLD和FPGA三种器件。 ; 20世纪80年代中期，Altera公司推出了一种新型的、可擦除的可编程逻辑器件，称为EPLD(Erasable Programmable Logic Device)，