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临沂师范学院2006-2007学年度第一学期 《模拟电子技术基础》试题 A （适用于信息学院2005级信工专业本科、1+3学生） 选择题（每小题2分,共30分） 1.某放大电路中,当输入电压10mV时,输出电压为7V,输入电压为15mV事,输出电压为6.5V,则该电路的电压放大倍数为( )。 A.700； B.430； C.100； D.-100。 2.某个由锗二极管D、电源E和电阻R组成的电路如图1所示，该电路中电流比较准确的值是（ ）。 A.零； B.0.27mA； C.0.4mA； D.0.5mA。 3．图2所示理想运放组成的电路，其输出电压VO等于（ ）。 A.3V； B.6V； C.9V； D.12V。 4．图3所示的负反馈放大电路中，级间反馈的反馈类型是（ ）负反馈。 A.电流并联； B.电压并联； C.电流串联； D.电压串联 5.桥式整流电路中若有一个二极管脱焊(断路)会引起( )。 A.直流输出电压减小一半； B.另一个二极管过热甚至烧坏； C.直流输出电压极性变反； D.所有管子烧坏。 6．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。 A．10KΩ； B.2KΩ； C.4KΩ； D.3KΩ。 7．含五价元素杂质的半导体是（ ）。 A．P型半导体； B.N型半导体。 C.本征半导体。 8．与甲类功率放大器比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（ ）。 A．不用输出变压器； B.不用输出端大电容 C． 效率高； D. 无交越失真。 9．某晶体管处在放大状态，其三个电极电位分别是VE=－5V，VB=－4.7V,　　　　 VC＝４V,则该管是( )。 A．PNP型锗管； B．NPN型锗管； C．PNP型硅管； D．NPN型硅管。 10、为了减小输出电阻，应在放大电路中引入（ ）。 A、电流负反馈 ； B 、电压负反馈； C、直流负反馈； D、交流负反馈。 11、晶体三极管工作在饱和区时发射结、集电结的偏置是( )。 A.发射结正向偏置，集电结反向偏置； B.发射结正向偏置，集电结正向偏置； C.发射结反向偏置，集电结反向偏置； D.发射结反向偏置，集电结正向偏置。 12．在OCL互补对称功放电路中，设负载电阻RL=8Ω，UCES=0V，要求最大输出功率为16W，则要求的电源电压为( )。 A.±9V； B.±12V； C.±16V ； D.±24V。 13．某负反馈放大电路的开环放大倍数为50，反馈系数为0.02，则闭环放大倍数为( )。 A.0.02 ； B.1； C.25； D.50。 14．在桥式全波整流电路中，变压器副边电压为U2，负载电阻RL，则输出的直流电压U0和每个二极管的平均电流ID分别为（　　　）。 A．U0=0.45U2,ID=0.45； B．U0=0.45U2,ID=0.9； C．U0=0.9U2,ID=0.45； D．U0=0.9U2,ID=0.9。 15、对于共集电极放大电路的特点，其错误的结论是（　　　）。 A.输入电阻高，且与负载有关； B.输出电阻小，且与信号源内阻有关； C.电压放大倍数小于1且近似等于1； D.电流放大倍数小于1。 得 分 二、填空题（共10分） 阅卷人 1、晶体三极管用来放大处于饱和状态时，应使发射结处于（ ）偏置，集电结处于（ ）偏置。 2、对于图3所示的放大电路，设VCC=12V，β=100，VBE=0.7V, 若要求静态电流ICQ=4mA ，VCEQ=5V，则电路中的Rb=（ ）kΩ,Rc=（ ）kΩ。 3、集成运放工作在线性区的特点是（ ）。 4、两级三极管构成的放大电路中,要求电压放大倍数达到100以上，且第一级输入电阻大于100k，那么第一级应选用（ ）放大电路，第二级选用（