第2章逻辑门电路CMOS.pptVIP

2.3 CMOS门电路 单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 主要介绍CMOS门电路。 ⒉ CMOS门电路 CMOS: Complementary-Symmetry Metal-Oxide Semiconductor CMOS反相器（非门） CMOS与非门 CMOS或非门 CMOS三态门 CMOS传输门 CMOS集成电路的各种系列 低电压CMOS系列 2.3.1 CMOS反相器 CMOS反相器是构成CMOS集成电路的基本单元。 如图2-32为CMOS反相器电路，是由互补的增强型NMOS管T1和PMOS管T2串联组成的。 ⑴CMOS反相器 ⑴CMOS反相器 vI输入低电平时：vI=VILVT1时，T1管截止。 但对于PMOS负载管: VG2较低，使|VGS||VT2|，因此T2充分导通。 ⑴CMOS反相器 由于T1的截止电阻远比T2的导通电阻大得多，所以电源电压差不多全部降落在工作管T1的漏源之间，使反相器输出高电平VOH≈VDD。 ⑴CMOS反相器 当vI=VIHVT1时，T1管导通。 但对于PMOS负载管：VG2较高，使|VGS||VT2|，因此T2管截止。 ⑴CMOS反相器 由于T2的截止时相当于一个大电阻，T1的导通电阻相当于一个较小的电阻，所以电源电压几乎全部降落在负载管T2上，使反相器输出低电平且很低，VOL≈0V。 特点： ⒈CMOS反相器的静态功耗非常小。 原因：由于CMOS反相器处于稳态时，无论是输出高电平还是输出低电平，其工作管和负载管必有一个截止而另一个导通，因此电源向反相器提供的仅为纳安级的漏电流，所以CMOS反相器的静态功耗非常小。 特点： ⒉CMOS反相器输出电压的上升时间和下降时间都比较小，电路的工作速度大为提高。 原因：由于CMOS反相器的工作管和负载管不同时导通，因此其输出电压不取决于两管的导通电阻之比。这样，通常可使PMOS负载管和NMOS工作管的导通电阻都较小。所以，CMOS反相器输出电压的上升时间和下降时间都比较小，电路的工作速度大为提高。 2.3.2 CMOS与非门 工作原理： 2.3.2 CMOS与非门 工作原理： 2.3.3 CMOS或非门 图2-34所示电路为两个输入端的CMOS或非门。 2.3.3 CMOS或非门 当输入A、B都为低电平时，并联NMOS管T1和T2都截止，串联PMOS管T3和T4都导通，于是电路输出为高电平。电路的输入和输出之间是或非逻辑关系。 2.3.4 CMOS三态门 图2-35所示为三态输出门电路。 A是输入端，E是控制端，F是输出端。 2.3.4 CMOS三态门 当控制端E为高电平时，NMOS管T1和PMOS管T4均截止，电路输出端F呈现高阻态； 当控制端E为低电平时，T1和T4管同时导通，T2和T3管构成的CMOS 反相器正常工作。 2.3.5 CMOS传输门 CMOS传输门(也称模拟开关)是逻辑电路的一种基本单元电路，其功能是一种传输信号可控开关电路。 2.3.5 CMOS传输门 当C=1时，模拟开关导通，模拟和数字信号可以在双向输入端间通过；当C=0时，模拟开关截止，输入和输出之间断开。 2.3.6 CMOS集成电路的各种系列 在小规模和中规模集成电路中，CMOS系列集成电路性能越来越好，并逐渐取代TTL集成电路。CMOS集成电路不但能提供所有TTL中用到的逻辑功能，而且还提供TTL不具备的一些特殊逻辑功能。各种CMOS系列在不断发展，并且在不断改善器件性能。 2.3.6 CMOS集成电路的各种系列 最早投放到市场的CMOS集成电路是4000系列，4000系列中的器件有非常低的功耗，并有较宽的工作电压范围(3~15V)，但传输延迟时间很长，带负载能力较弱。不具有与TTL系列的管脚兼容性（当两种IC管脚结构相同时，则这两个IC管脚兼容）和电气兼容性（当两种IC能相互连接而不需要采取任何特殊措施来保证正常工作时，这两种IC是电气兼容的）。 2.3.6 CMOS集成电路的各种系列 74C系列与相同编号的TTL器件是管脚兼容和逻辑功能等效的。例如，7430和74C30都是8输入与非门，且管脚排列完全相同。74C系列的性能与4000系列的性能基本上相同。 74HC/HCT(High-speed CMOS/ High-speed CMOS, TTL compatible)系列是高速CMOS，与74LS器件相比，它的开关速度提高了10倍，比74C系列具有更高的输出电流。74HC/HCT与相