半导体氮化铟InN的电学性质.PDFVIP

第 24 卷 　第 2 期 物 　理 　学 　进 　展 Vol . 24 ,No . 2 　2004 年 6 月 PRO GR ESS IN PH YSICS J un . ,2004 文章编号 (2004) 020 1952 1 ( ) 半导体氮化铟 InN 的电学性质 潘 　葳 ,沈文忠 (上海交通大学物理系 ,凝聚态光谱与光电子物理实验室上海市华山路 1954 号 ,上海 　200030) 小川博司 ,郭其新 (佐贺大学理工学部电气与电子工程系 ,佐贺 8408502 , 日本) ( 摘 　要 : 　本文总结了近年来半导体 InN 薄膜材料 主要是六方纤锌矿结构的 InN 及异质 ) 结构 的电学性质研究进展 ,重点内容为 InN 的载流子浓度和迁移率 ,造成 InN 中高电子浓 度现象的施主分析 、载流子输运特性及表面 、界面特性等 。同时也涉及了部分立方闪锌矿结 ( ) 构 InN 的电学特性和 InN 在器件 主要是高电子迁移率晶体管器件 上的潜在应用 。 ( ) 关键词 : 　氮化铟 InN ; 电学性质 ;综述 ;载流子浓度 ;迁移率 ;输运 中图分类号 : 　O47 　　　　　　　　　　文献标识码 : 　A 0 　引　言 近年来 , Ⅲ族氮化物半导体如 GaN 、AlN 和 InN 以及它们的合金由于在光电子和微 电子器件上的广阔应用前景 , 引起了人们极大的兴趣[ 1 ,2 ] 。InN 被认为是低损耗高效电 池 、光学掩膜及多种传感器的优选材料[ 1 ] 。InN 、GaN 和 AlN 的合金带隙对应于可见 - 近 紫外光波段 , 因而使制造 In GaAlN 基的半导体短波激光二极管成为可能[3 ,4 ] 。最近的研 ( ) [5～7 ] 究表明 , InN 在太赫兹 THz 辐射中有很好的应用前景 ,在热光伏系统中则可作为等 离子体滤波器材料[ 8 ] 等 。理论计算表明 ,相对于 GaA s 、AlN 和 GaN , InN 具有优越的稳态 ( ) 和瞬态电子输运特性 ,其迁移率 、峰值速率 、饱和漂移速率和尖峰 over shoot 速率较高 ,其 2 7 [9 ,10 ] 中低场迁移率可以达到 3200 cm / V ·s ,峰值漂移速率可达 4 . 3 ×10 cm/ s ,且这些电 ( ) 子输运特性不受温度改变的影响 ,可以预计 InN 场效应晶体管 F E T 的截止频率可高于 400 GHz[9 ] ,这些特性使 InN 在高频厘米和毫米波器件应用上具有独特的优势[9 ,10 ] 。此