双极集成电路的基本制造工艺.ppt

* * 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 1:衬底选择 确定衬底材料类型 C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL P型硅(p-Si) 确定衬底材料电阻率 ρ≈10Ω.cm 确定衬底材料晶向 * * 掩膜图形 2:第一次光刻----N+隐埋层扩散孔光刻 C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL P-Si衬底 N+隐埋层 * * 具体步骤如下： 1．生长二氧化硅（湿法氧化）： Si(固体)+ 2H2O ? SiO2（固体）+2H2 Si- 衬底 SiO 2 * * 2．隐埋层光刻： 涂胶 腌膜对准 曝光 光源 显影 * * As掺杂（离子注入） 刻蚀（等离子体刻蚀） 去胶 N+ 去除氧化膜 N+ P-Si Tepi C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL Tepi * * P-Si Tepi C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL Tepi 3:外延层 主要设计参数 外延层的电阻率ρ; 外延层的厚度Tepi; Tepi xjc+xmc +TBL-up+tepi-ox 后道工序生成氧化层消耗的外延厚度 基区扩散结深 TBL-up tepi-ox xmc x