物理光学建中.ppt

Ch11 現代科技簡介 §11-1物理與醫療 §11-2半導體 §11-2 二極體 §11-3 電晶體 一.雙極性電晶體 二.場效電晶體 §11-4 微電子技術 §11-3 超導體 §11-4 人造光源 §11-5 奈米科技 利用上述光罩和酸蝕的方法，再行蒸鍍一層矽或金屬的薄膜圖樣，如圖上的紅色帶。 在預留的摻雜區域攙入雜質原子，使成為 p 型或 n 型半導體，如圖上所示的綠色帶。 重複以上的步驟，按需要疊加層數，構成三維的電路結構，最複雜的積體電路甚至加到二十多層。 在特留的空隙處，蒸鍍金屬，作為電極或連接導線之用，如圖上所示的藍色斑塊。 一片晶圓上可以同時製作出上百個完全相同的晶片。將晶圓上的小晶片切割分離，並焊接上金屬導線，經過封裝測試即成為一片 IC 晶片。 例題：下列有關半導體的敘述，哪些正確？ (A) 不含雜質的純半導體材料，其電子、電洞的密度相同 (B) 純的半導體材料溫度越高時，電子、電洞的密度越大 (C) 矽半導體加入5 價雜質，會形成 P 型半導體 (D) 二極體的 P、N 接觸面形成一空乏區，空乏區的 P 型 部分帶正電 (E) PNP 三極體的基極為 N 型半導體。 [92.指定科考] 答案：ABE 例題：下列關於半導體性質的敘述中，哪些是正確的？ (A)純矽晶中，自由電子為電流載子，但電洞不是 (B)純矽晶中若摻入磷的雜質，則成為 p 型半導體 (C) p 型矽晶中，電洞為主要的（或多數的）電流載子， 自由電子為次要的（或少數的）電流載子 (D) p 型矽晶中有電流流通時，電洞和自由電子流動所形成 的電流，兩者異向。 (E)二極體有整流的功能，乃因晶體內有一內建電場之故。 [93.指定科考] 答案：CE 例題：如圖所示的電路中，交流電源的最大電壓為 12.0 V，理想變壓器的原線圈與副線圈的匝數比為 2：1，二極體可視為理想的整流器：順向偏壓時，二極體形同短路；逆向偏壓時，二極體形同斷路，電阻 R = 5.0 Ω。電阻 R 兩端的電位差（或稱電壓） VAB 定義為 VAB = VA -VB，VA 和 VB分別為 A 點和 B 點的電位。試問下列敘述中，哪些正確？ [94.指定科考] (A) VAB 的最大值為 4.0V (B) VAB 的最小值為 0 V (C) 流經電阻 R 的電流為直流 (D) 流經電阻 R 的平均電流為零 (E) 流經電阻 R 的最大電流值為 0.8A 12.0V R=5.0Ω 2：1 變壓器 A B 答案：BC 例題：若右圖所示為測量二極體特性曲線的電路圖，則 W，X，Y，Z 分別代表何種儀器或元件？ [95.指定科考] (A) W：伏特計，X：電阻，Y：安培計， Z：60 Hz交流電源供應器 (B) W：60 Hz交流電源供應器， X：電阻，Y：伏特計，Z：安培計 (C) W：安培計，X：輸出電壓可調變的 直流電源供應器，Y：電阻，Z：伏特計 (D) W：伏特計，X：安培計，Y：電阻， Z：輸出電壓可調變的直流電源供應器 (E) W：電阻，X：伏特計，Y：安培計， Z：輸出電壓可調變的直流電源供應器。 W X Y Z 答案：D 一、超導體 1908年荷蘭物理學家歐尼斯（Heike Kamerlingh Onnes，1853-1926）首次在溫度 4.2K 時將氦液化成功，開創低溫物理的新紀元。 1911 年歐尼斯及其助理發現水銀在 4.2K 時電阻突降為零，也就是處在完全無電阻的狀態，這時的水銀稱為超導體(superconductor)。 週期表內一大半的元素在適當的條件下可成為超導體，但是臨界溫度均極低，大都在 10K 以內，下表是幾種較常見元素的超導體臨界溫度（TC），銅、銀及金是最佳導體但並不具超導性。 0.015 W 9.260 Nb TC(K) 超導體 TC(K) 超導體 0.850 Zn 7.103 Pb 5.300 V 3.408 In 0.390 Ti 4.153 Hg 4.470 Ta 1.083 Ga 3.722 Sn 1.196 Al 常見元素的超導體臨界溫度（TC） 縱使科學家極力尋找合金材料試圖提高臨界溫度，但成就有限，例如當時發現的 Nb3Ge 到達 TC=23.2K 已被認為到達了極限。 1986 年瑞士 蘇黎士 IBM 實驗室的科學家貝諾茲（Johannes Georg Bednorz，德國人）及繆勒（Karl Alex Müller，瑞士人）發現鑭鋇銅氧化物 Ba-La-Cu-O 可在 30K 形成超導體，這是